2012年03月28日（水）
10:30～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
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非会員：
52,360円
（本体価格：47,600円）
会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
学生：
11,000円
（本体価格：10,000円）
・1名につき47,250円（税込、資料付き）
※大学生、教員のご参加は、1名に付き受講料10,500円です。（ただし、企業に在籍されている研究員の方は除きます。）
・2名同時にお申し込みいただいた場合、2人目は無料（2名で49,980円）※ただし、2名とも案内登録をしていただいた場合に限ります。
30名 ※満席になりましたら、締め切らせていただきます。早めにお申し込みください。
【習得できる知識】
・半導体教科書にはほとんど採り上げられない半導体洗浄技術の現状の課題と将来展望
・基礎の基礎から世界の最新動向にいたる半導体洗浄技術のすべて
・洗浄技術を切り口とした先端半導体プロセス技術
【受講対象】
半導体デバイスメーカー、装置メーカー、材料メーカー、計測器メーカー、ゼネコン、空調（クリーンルーム）メーカー, 薬液・純水・ガスメーカーなど
【講座のポイント】
半導体デバイスの微細化に伴い、半導体の製造現場では、パーティクルはじめ様々な微小な汚染物質が半導体デバイスの歩留まりや信頼性にますます大きな影響を及ぼすようになってきています。
半導体プロセスはそのすべてが汚染の発生源です。これらの汚染が半導体ウェーハ表面に付着してしまった場合は、洗浄で除去しなければなりません、このため、洗浄工程は、歩留りを左右する重要な工程として、半導体製造プロセスの中に繰り返し登場し、最多の工程となっています。
しかし、半導体デバイスの微細化に伴い、洗浄に伴う様々なトラブルが顕在化してきており、従来の洗浄技術にブレークスルーが求められています。
本講演では、半導体洗浄技術の基礎、現状の課題と解決策、そして世界最先端の最新動向までを、実践的な観点から豊富な事例を交え、 初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。
１．ウェーハ洗浄の基礎
1-1.半導体洗浄における洗浄の重要性
1-2.洗浄による表面汚染除去のメカニズム ―パーティクル、金属不純物、有機汚染
1-3.ウェーハ洗浄手法、洗浄シーケンスの変遷 ―多槽浸漬式洗浄から枚葉スピン洗浄へ
1-4.ウェーハ乾燥手法の変遷
２．ウェーハ洗浄の現状と課題
2-1.微細構造・新材料への対応
2-2.FEOL洗浄の現状と課題
2-3.BEOL洗浄の現状と課題
３．超微細化に向けての洗浄の課題
3-1.先端半導体製造における純水がらみの問題点
3-2.洗浄時の物理力（超音波、２流体ジェット）によるパターン倒壊
４．脆弱なナノ構造にダメージを与えない洗浄
4-1.ウェット洗浄の改良
4-2.代表的なドライ洗浄―ＨＦベーパー、極低温エアロゾル、クラスターイオンビーム、ＵＶ/ガス利用、など
4-3.超臨界流体洗浄
4-4.局所クリーニング ―レーザー、ショックウエーブ、ナノプローブ、ナノピンセットなど
５．洗浄装置業界・特許・国際会議の最新動向分析
5-1.洗浄技術の特許動向
5-2.過去の国際会議に見る洗浄技術の動向
5-3.2011年秋開催国際会議に見る洗浄技術の最新動向
5-4.今後の国際会議の予定
６．まとめ －半導体洗浄技術のパラダイムシフト
6-1.半導体洗浄技術のパラダイムシフト
6-2.超微細化新材料・構造への洗浄技術の対応
