1.ウェットエッチングの基礎
1-1 ウェットエッチングの産業応用(半導体、液晶、プリント基板、5G応用)
1-2 加工技術としての位置づけ(設計値とシフト量)
1-3 基本プロセスフロー(前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄)
1-4 プロセス支配要因(濡れ、律速、反応速度、エッチング機構)
1-5 等方性エッチング(アンダーカット)
1-6 結晶異方性エッチング(結晶方位依存性)
1-7 表面エネルギー理論による界面浸透解析(拡張エネルギーS,円モデル)
1-8 処理装置(液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング)
2.アンダーカット形状コントロール
2-1 支配要因(界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性)
2-2 形状コントロール(エッチングラインの高精度化)
2-3 高精度形状計測(断面SEM、定在波法、光干渉法、X線CT)
3.プロセスの基礎と最適化要因
3-1 被加工表面の最適化(表面被膜、汚染、欠陥の影響)
・被加工膜の材質依存性(Cu、Al、Si、ガラス、高分子膜)
・表面汚染(大気中放置、自然酸化)
・表面前処理(疎水化および親水化)
3-2 エッチング液
・エッチング液の選定(等方性/異方性)
・エッチングレート(反応律速)
・エッチング液の劣化(物質移動律速)
3-3 エッチングマスク
・マスク剤の選定(レジスト膜、無機膜)
・マスク剤の最適化(マスク形成と高精度化)
・マスクの形状劣化(熱だれ、転写特性)
・マスク内の応力分布と付着強度(応力集中と緩和理論)
・エッチング液の浸透(CLSM解析)
4.トラブル要因と解決方法(最短の解決のために)
4-1 マスクパターンの剥離(付着エネルギーWa及び剥離要因)
4-2 エッチング液の濡れ不良(ピンニング不良)
4-3 エッチング開始点の遅れ(コンタクトラインのVF変形)
4-4 ホールパターンの気泡詰まり(界面活性剤)
4-5 エッチング表面の荒れ(気泡、異物)
4-6 金属汚染(RCA洗浄)
4-7 液中酸化(溶存酸素)
4-8 再付着防止(DLVO理論、ゼータ電位)
4-9 乾燥痕(マランゴニー対流、IPA蒸気乾燥)
5.質疑応答
(日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます)