１．ウェットエッチングの基礎
　1-1　ウェットエッチングの産業応用（半導体、液晶、プリント基板、５G応用）
　1-2　加工技術としての位置づけ（設計値とシフト量）
　1-3　基本プロセスフロー（前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄）
　1-4　プロセス支配要因（濡れ、律速、反応速度、エッチング機構）
　1-5　等方性エッチング（アンダーカット）
　1-6　結晶異方性エッチング（結晶方位依存性）
　1-7　表面エネルギー理論による界面浸透解析（拡張エネルギーS,円モデル）
　1-8　処理装置（液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング）
２．アンダーカット形状コントロール
　2-1　支配要因（界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性）
　2-2　形状コントロール（エッチングラインの高精度化）
　2-3　高精度形状計測（断面SEM、定在波法、光干渉法、X線CT）
３．プロセスの基礎と最適化要因
　3-1　被加工表面の最適化（表面被膜、汚染、欠陥の影響）
　　・被加工膜の材質依存性（Cu、Al、Si、ガラス、高分子膜）
　　・表面汚染（大気中放置、自然酸化）
　　・表面前処理（疎水化および親水化）
　3-2　エッチング液
　　・エッチング液の選定（等方性/異方性）
　　・エッチングレート（反応律速）
　　・エッチング液の劣化（物質移動律速）
　3-3　エッチングマスク
　　・マスク剤の選定（レジスト膜、無機膜）
　　・マスク剤の最適化（マスク形成と高精度化）
　　・マスクの形状劣化（熱だれ、転写特性）
　　・マスク内の応力分布と付着強度（応力集中と緩和理論）
　　・エッチング液の浸透（CLSM解析）
４．トラブル要因と解決方法（最短の解決のために）
　4-1　マスクパターンの剥離（付着エネルギーWa及び剥離要因）
　4-2　エッチング液の濡れ不良（ピンニング不良）
　4-3　エッチング開始点の遅れ（コンタクトラインのVF変形）
　4-4　ホールパターンの気泡詰まり（界面活性剤）
　4-5　エッチング表面の荒れ（気泡、異物）
　4-6　金属汚染（RCA洗浄）
　4-7　液中酸化（溶存酸素）
　4-8　再付着防止（DLVO理論、ゼータ電位）
　4-9　乾燥痕（ﾏﾗﾝｺﾞﾆｰ対流、IPA蒸気乾燥）
５．質疑応答
（日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます）