半導体製造プロセスにおけるイオン注入とアニール技術【LIVE配信】
~基礎から課題およびその対策まで~

※オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。

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セミナー概要
略称
イオン注入・アニール【WEBセミナー】
セミナーNo.
2205109
開催日時
2022年07月22日(金) 13:00~17:00
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
価格
非会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
会員:  38,500円 (本体価格:35,000円)
学生:  49,500円 (本体価格:45,000円)
価格関連備考
会員の方あるいは申込時に会員登録される方は、受講料が1名49,500円(税込)から
 ・1名38,500円(税込)に割引になります。
 ・2名申込の場合は計49,500円(2人目無料)になります。両名の会員登録が必要です。

会員登録とは? ⇒ よくある質問
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
持参物
受講にはWindowsPCを推奨しております。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
備考
・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体関連の材料・デバイス・装置メーカーなどの主に若手~中堅の研究者・開発者・技術者・製造担当者
習得できる知識
・MOS IC作成のためのイオン注入技術の詳細と課題
・微細化MOSトランジスタのイオン注入技術に対する要求
・イオン注入により破壊された結晶を回復させるアニールの手法
・アニールによる結晶回復の過程に関する知識
趣旨
 MOSトランジスタを用いたLSIの作製で重要な役割を果たす不純物のイオン注入と、その不純物を活性化させるためのアニール技術について、MOS ICの微細化との関連を中心として解説してゆく。イオン注入技術ではその原理と装置の構造、および、MIS ICの微細化に対応するイオン注入技術の課題とその対策を示す。アニール技術では、MOS ICの微細化に対応するアニールの手法、イオン注入によって導入されるSi結晶欠陥のアニールによる回復の過程を解説する。MOS IC以外のデバイス作製のためのイオン注入技術についても簡単に紹介する。
プログラム

1.イオン注入技術の歴史

2.CMOS ICの微細化
 ~MOSトランジスタの微細化とその構造変化に対応するイオン注入技術~

3.イオン注入技術
 ・イオン注入の原理と装置構造
 ・CMOS ICでのイオン注入の適用
 ・イオン注入に伴う問題と対策
   -イオンビーム精度
   -チャネリング
   -チャージアップ
   -ビームBrow up
   -金属汚染
   -注入損傷
 ・その他のイオン注入技術
   -CMOSイメージセンサー
   -パワーデバイス、など

4.アニール技術
 ・アニール手法(電気炉アニール、光アニール)
 ・注入不純物の活性化過程
 ・結晶の回復と2次欠陥の生成、展開
 ・光アニール技術の課題

5.イオン注入に関連する解析技術
 ・不純物濃度分布
 ・キャリアの濃度分布
 ・結晶性解析
 ・汚染解析

【質疑応答】

キーワード
半導体,デバイス,MOS,LSI,イオン,注入,アニール,不純物,セミナー,講座,研修
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