各種パワーデバイスの特徴・技術動向と今後の課題【LIVE配信】

セミナー概要

略称

パワーデバイス【WEBセミナー】

セミナーNo.

250847

開催日時

2025年08月20日（水） 12:30～16:30

主催

（株）Ｒ＆Ｄ支援センター

問い合わせ

Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　

講師

グリーンパワー山本研究所　所長　山本秀和　氏
　兼　千葉工業大学　非常勤講師、共同研究員
　兼　パワーデバイスイネーブリング協会理事
　兼　FTB研究所　特別顧問

＜ご専門＞
　半導体結晶、半導体デバイス、パワーデバイス

＜学協会＞
　パワーデバイスイネーブリング協会

＜ご略歴＞
　1984年3月　北海道大学大学院博士後期課程修了（工学博士）
　1984年4月　三菱電機(株)入社（2010年3月退社）
　2010年4月　千葉工業大学教授（2022年3月退職）
　2015年6月　パワーデバイスイネーブリング協会理事
　2022年4月　FTB研究所　特別顧問
　2022年4月　千葉工業大学　非常勤講師
　2022年8月　グリーンパワー山本研究所　所長
　2022年8月　千葉工業大学　付属研究所　共同研究員

価格

非会員： 49,500円（本体価格：45,000円）
会員： 44,000円（本体価格：40,000円）
学生： 49,500円（本体価格：45,000円）

価格関連備考

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　・1名で申込の場合、44,000円（税込）へ割引になります。
　・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
会員登録とは？　⇒　よくある質問

ライブ配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合は、会員価格で1名につき49,500円（税込）、2名同時申込で55,000円（税込）になります。お申し込みフォームのコメント欄に「ライブとアーカイブ両方視聴」とご記入下さい。

定員

30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。

備考

・本セミナーは「Zoom」を使ったLIVE配信セミナーです。【アーカイブ配信：8/22～8/29】の視聴を希望される方は、パワーデバイス【アーカイブ配信】からお申し込み下さい。

・セミナー資料は事前にPDFで配布します。紙媒体では送付しません。
セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】

１．Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードして下さい。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。

２．セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧下さい。セミナー開始直前のトラブルについては対応いたしかねますのでご了承下さい。

３．開催日の数日前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前に招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加下さい。2営業日前までに招待メールが届いていない場合は弊社までご連絡下さい。迷惑メールフォルダもご確認下さい。

講座の内容

受講対象・レベル

・パワーデバイス開発技術者、管理者、営業担当者

習得できる知識

・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
・パワーデバイスによる電力変換と高性能化
・パワーチップおよびパワーモジュールの構造
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの開発ターゲット
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・ワイドギャップ半導体パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位

趣旨

　パワーデバイスは、地球温暖化防止の決め手となるパワーエレクトロニクスを根底から支えています。これまで日本は、パワーデバイス業界を主導的に牽引してきました。しかしながら最近、日本のパワーデバイスの世界シェアは徐々に落ちてきており、何らかの手を打たない限り、この動きは止められません。
　Siパワーデバイスは製造ラインの300mm化が必須ですが、日本はすでに大きく出遅れています。近年、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。量産化には多くの課題があるものの、海外メーカは積極的に市場投入を進めています。日本はここでも、海外メーカに後れを取っています。
　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発動向と今後の課題について詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス再建についても議論します。
　

プログラム

1．パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイス業界動向
　1-1．パワーエレクトロニクスへの期待とパワーデバイスの適用分野
　1-2．パワーデバイスによる電力変換とパワーデバイスの高性能化

2．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
　2-1．パワーチップおよびパワーモジュールの構造
　2-2．パワーチップおよびパワーモジュールの製造プロセス

3．Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの技術開発
　3-1．Siパワーデバイスの技術開発
　3-2．SiCパワーデバイスの技術開発
　3-3．GaNパワーデバイスの技術開発
　3-4．酸化ガリウムパワーデバイスの技術開発

4．日本の電子デバイス盛衰の歴史とパワーデバイスの将来展望
　4-1．日本の電子デバイス盛衰の歴史
　4-2．世界のパワーデバイスの状況
　4-3．日本のパワーデバイスの将来展望

5．まとめ

キーワード

半導体、パワー、デバイス、モジュール、チップ、ワイドギャップ、SiC、GaN

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