半導体製造工程に必要不可欠なCMP技術全体を見直す！
CMPに求められる要求技術から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説します！
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
１． CMP(Chemical Mechanical Planarization)技術の概要、歴史
1-1. 研磨技術の概要
1-2. Siウェーハの加工プロセス
1-3. ラッピング加工
1-4. 研磨加工
1-5. 化学機械研磨の研磨メカニズム
1-6. 研磨制御における課題
２． CMPの概要とCMPプロセス
2-1. 半導体製造方法とCMPの概要
2-2. CMPプロセスが適用されるプロセス
2-3. CMPにおける重要な要素技術
３． CMP要素技術（１）圧力分布の設計
3-1. CMPに求められる仕様
3-2. 研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
3-3. 圧力分布調整へのアプローチ
3-4. 静的圧力分布と動的圧力分布の対応
3-5. 圧力分布制御技術
3-6. 研磨均一性と圧力分布形状の対応
４． CMP要素技術（２）研磨パッド状態の定量化
4-1. 研磨パッドの特徴
4-2. 研磨パッドにおける幾何学的な要素
4-3. 研磨パッドの定量的な状態把握
4-4. 研磨パッドの化学的解析が必要な背景
4-5. FTIRによるパッド表面の分析
4-6. ラマン散乱分光によるパッド表面分析
4-7. 緩和時間評価による高分子と水の関係
５． CMP要素技術（３）パッドコンディショニング技術
5-1. パッドコンディショニング技術の概要
5-2. In-situコンディショニング技術
5-3. ダイヤモンド配列による長寿命化
5-4. 表面基準コンディショニング
5-5. 微小研削コンディショニング
６． CMP要素技術（４） 終点検出技術
6-1. 終点検出の種類と概要
6-2. 光学式終点検出技術
6-3. 渦電流式終点検出
6-4. 表皮効果を利用した渦電流終点検出技術
７． 次世代半導体、電子部品に対する最新加工技術
7-1. 三次元実装技術
7-2. レーザダイシング技術
7-3. ダイシングと平面研削加工の融合技術
7-4. 次世代SiC基板における加工技術
7-5. 新しいダイシング加工技術,溝入れ加工技術
【質疑応答】