★レジスト材料 (感光性樹脂)・プロセスの説明から、化学成分とレジスト特性との関係、具体的なレジスト評価法まで丁寧に解説します!

半導体用レジストの特性および材料設計とその評価【アーカイブ配信】

こちらは12/10実施WEBセミナーのアーカイブ(録画)配信です。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
半導体用レジスト【アーカイブ配信】
セミナーNo.
241254A
配信開始日
2024年12月12日(木)
配信終了日
2024年12月20日(金)
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
価格
非会員:  55,000円 (本体価格:50,000円)
会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
学生:  55,000円 (本体価格:50,000円)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から
 ・1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円(2人目無料)です。
会員登録とは? ⇒ よくある質問
備考
こちらは12/10に実施したWEBセミナーのアーカイブ(録画)配信です。

・配信開始日までに、セミナー資料はPDFでお送りします。セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

・動画のURLはメールでお送りします。
講座の内容
受講対象・レベル
・レジスト材料・プロセスの研究や開発に関わる方
・半導体、ディスプレイ、MEMSなどのデバイス開発、製造、販売に携わる方
・レジストメーカー、およびレジストメーカーに原料を提供する素材メーカーの方
習得できる知識
・レジストを製造するための基礎知識、材料設計指針
・レジストを使用する際の留意事項
・リソグラフィープロセスについて
・素材メーカー、レジストメーカーとしてのデバイスメーカー対応能力
・レジスト材料(ノボラック系ポジ型レジスト、化学増幅型レジスト)
・プロセスについて
趣旨
 半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上に微細素子がパターンニングされたトランジスタが形成される。これらの工程はリソグラフィー工程と呼ばれ、おおよそ20回から30回繰り返されることになる。
 本講演では、特にレジスト材料 (感光性樹脂)・プロセスについて解説するとともに、ノボラック系ポジ型レジスト、及び化学増幅系3成分 (ベース樹脂、溶解抑制剤、酸発生剤) ポジ型レジストのそれぞれの化学成分とレジスト特性との関係について解説する。
 また、元デバイスメーカーにいた者の視線で、レジストメーカーに原料を提供する素材メーカーにおけるレジスト評価法の具体的な手法について丁寧に解説したい。
 
プログラム

1.感光性レジストの基礎とリソグラフィー工程の解説
 1-1.感光性レジストとは?
 1-2.リソグラフィーについて
 1-3.フォトレジストの塗布、露光、露光後ベーク (PEB) 、現像工程の概要

2.レジスト設計の変遷とその作用メカニズム
 2-1.半導体・電子デバイスの進化とレジスト設計の変遷
 2-2.レジストの基本原理
 2-3.レジストの現像特性
 2-4.レジストとSi基板との密着性について

3.ノボラック系ポジ型レジストの材料設計
 3-1.レジスト現像アナライザ(RDA)を用いた現像特性評価
 3-2.ノボラック系ポジ型レジストの分子量とレジスト特性の関係
 3-3.ノボラック系ポジ型レジストのプリベーク温度を変えたレジスト特性評価
 3-4.PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストのレジスト特性
 3-5.ノボラック系ポジ型レジストの現像温度とレジスト特性との関係

4.化学増幅ポジ型レジストの材料設計
 4-1.化学増幅ポジ型3成分レジストのベース樹脂とレジスト特性
   ・ベース樹脂
   ・溶解抑制剤
   ・酸発生剤
 4-2.化学増幅ポジ型3成分レジストの溶解抑制剤とレジスト特性
 4-3.化学増幅ポジ型3成分レジストの酸発生剤とレジスト特性
 4-4.EUVレジストへの展開
 4-5.i線厚膜レジストへの展開

キーワード
感光性樹脂、レジスト、設計、半導体、デバイス、リソグラフィー、塗布、露光
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