2025年09月10日（水）
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東京科学大学 総合研究院 ゼロカーボンエネルギー研究所 研究員 博士（工学）／
九州大学 プラズマナノ界面工学センター アドバイザー
鈴木 一明 氏
【専門】
精密工学、微細加工技術、非破壊検査技術
【略歴】
学生時代（1984年3月まで）：プラズマ物理（学部）、X線天文学（大学院）を専攻
民間企業時代（1984年4月～2019年2月）：（株）ニコン
KrFステッパ、KrFスキャン、電子線、EUV等の新コンセプトの半導体投影露光装置や、産業用X線CT装置の開発をリーディング。
2011年～2014年 Nikon Metrology のChief Strategy Officerとして英国赴任。
アカデミア時代（2019年3月～現在）：
2019年3月～2025年3月 東京工業大学（現・東京科学大学） 物質・情報卓越教育院
2025年4月～ 東京科学大学 総合研究院 ゼロカーボンエネルギー研究所 研究員
2021年～2023年 成城大学 社会イノベーション学部 非常勤講師
2023年１月～ 九州大学 プラズマナノ界面工学センター アドバイザー（兼任）
“Microlithography -Science and Technology -” (CRC Press)（第２版2007、第３版2020）の編者。
非会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員：
46,200円
（本体価格：42,000円）
学生：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
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３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
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半導体製造プロセスのうち、リソグラフィ関連全般を原理的な視点から理解したい方（新人、若手技術者、マネジメント）。
特に予備知識は必要ありません。基礎から説明いたしますが、四則演算、三角関数、微積分、平均値と標準偏差、等の基礎知識は必要です。
・半導体製造プロセスにおけるリソグラフィの位置づけ、半導体露光装置の歴史を理解できる。
・半導体露光装置の構成と性能、特に解像度の決定要因と部分的コヒーレンス理論を理解することができる。
・EUV露光装置の特徴を理解することができる。
・電子ビーム露光装置の特徴を理解することができる。
・レジスト材料の原理を理解することができる。
半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の流れを、専門外の方々にもわかりやすく説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。そして、光源、多層膜ミラー、反射光学系を含むEUV露光装置の特徴について説明する。更に、原版となるマスク上に半導体パターンを描画するために用いられる電子ビーム露光装置について説明する。最後に、露光装置によって形成される光強度分布からレジスト像への転写原理、レジスト材料の原理について述べる。
1. 半導体高集積化のトレンド
2. 半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
3. 露光装置概説
3-1. 半導体露光装置の露光方式の進化
3-2. 半導体露光装置の性能と要素機能、露光技術の発展
（部分的コヒーレンス理論、解像度向上策、重ね合わせ精度、スループットを含む）
4. EUV露光装置
4-1. EUV露光装置の特徴
（光源、多層膜反射光学系、真空ステージ、EUVマスクを含む）
4-2. EUV露光装置の高NA化と将来展望
4-3. Cost of Ownership
5. 電子ビーム露光装置
6. レジスト材料の原理
EUV露光装置,レジスト,リソグラフィ,EUV,半導体プロセス,講演,セミナー,研修
