★SiCパワー半導体の社会実装の状況やSiCウェハ製造技術の開発動向、課題、産業動向まで分かりやすく解説！
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
※【LIVE配信】はリアルタイムのご参加のみとなり、見逃し配信はございません。
１．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
1-1 SiCの基礎と物性
(1)身近なSiC
(2)ワイドギャップ半導体と特徴
(3)SiCウェハ
(4)他半導体材料とSiCの違い
1-2 SiCパワー半導体への応用
(1)SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
(2)SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
1-3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
(1)パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
(2)国内・外でのSiCウェハ開発動向
(3)SiCウェハ開発に対する今後の期待
２．SiC単結晶製造技術
2-1 SiC単結晶の合成・成長方法
(1)SiCの合成
(2)SiC単結晶の量産技術
(3)各種SiC単結晶成長技術の特徴
(4)シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
2-2 結晶多形と特徴
(1)SiCの結晶多形（ポリタイプ）と物性
(2)多形制御技術
2-3 結晶欠陥と制御
(1)SiC単結晶の結晶欠陥と影響
(2)SiC単結晶の欠陥評価技術
(3)SiC単結晶の欠陥抑制技術
2-4 大口径結晶の成長
(1)SiC単結晶の口径拡大成長技術
(2)大口径化がもたらす効果と技術課題
2-5 n/p型の伝導度制御
(1)SiC単結晶の伝導度制御
(2)SiC単結晶の低抵抗化技術
３．SiCウェハ加工技術
3-1 SiCのウェハ加工
(1)SiCウェハ加工工程と技術課題
3-2 ウェハ切断工程
(1)SiC単結晶の切断技術
(2)切断工程の高速化技術
(3)切断工程の課題と新しい切断技術
3-3 ウェハ研削工程
(1)SiCウェハの研削加工
(2)研削加工の高速・鏡面化技術
(3)研削工程の課題と新しい研削加工技術
3-4 ウェハ研磨工程
(1)SiCウェハの研磨加工
(2)研磨加工と研削加工の特徴や違い
(3)研磨工程の課題と新しい研削加工技術
3-5 CMP工程
(1)SiCウェハのCMP加工
(2)CMPの高速化技術
(3)CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
3-6 加工変質層と評価
(1)加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
(2)加工変質層の評価技術
(3)加工変質層の抑制技術
3-7大口径化対応
(1)SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
(2)大口径化対応へ向けた解決策の検討
【質疑応答】