2nm以降半導体向け配線技術の最新動向と課題【LIVE配信】

～ Cu/Low-k限界からRu/AG・BSPDNまで ～

１．集積回路配線の基礎知識
　1-1　配線の微細化と3D化が求められる背景
　1-2　配線の役割と性能指標
　　(1)　配線の役割
　　(2)　階層化された多層配線構造
　　(3)　配線の性能指標
　　(4)　各配線層の役割に応じた要求性能
　1-3　配線信頼性の基礎知識
　　(1)　微細化に伴う配線信頼性の重要性
　　(2)　デバイスの故障と信頼性予測の手順
　　(3)　エレクトロマイグレーション（EM）
　　(4)　ストレス誘起ボイド（SIV）
　　(5)　経時絶縁破壊（TDDB）
　　(6)　耐湿信頼性
　1-4　Cu/Low-k配線プロセス
　　(1)　Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
　　(2)　Low-k絶縁膜と課題
　　(3)　ダマシン法に用いる要素プロセス（バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP）

２．2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
　2-1　2nm以降半導体に向けた配線の課題
　　(1)　新材料への切り替え時期予測とロードマップ
　　(2)　2nm以降の微細パターンの形成方法（Self-Aligned Double Patterning）
　2-2　Cu配線の延命
　　(1)　Advanced Low-k（ALK）膜（高プラズマ耐性Low-k膜）
　　(2)　バリア/ライナーの薄膜化とCu埋め込み法の改善
　　(3)　グラフェンキャップによる改善
　　(4)　ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
　2-3　Cu代替配線材料
　　(1)　代替配線材料の選択基準
　　(2)　代替配線材料をしぼり込む流れ（どういう評価が必要か）
　　(3)　ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)とその最新動向
　　(4)　モリブデン
　　(5)　グラフェン
　　(6)　その他の代替配線材料
　2-4　2nm以降の配線信頼性
　　(1)　Cu/ALK配線の信頼性
　　(2)　Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
　　(3)　Ru/AG配線のTDDB信頼性
　2-5　新構造とプロセス
　　(1)　配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
　　(2)　裏面電源配線（Backside Power Delivery Network）とその課題
　　(3)　チップレット・３D化
　　(4)　ハイブリッドボンディングとその最新動向

　【質疑応答】