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フォトレジスト材料の基礎と評価プロセスおよび市場展開アプリケーション
【LIVE配信】
要求特性とそれを達成するための材料設計からトラブルシューティングまで

※オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。

セミナー概要
略称
フォトレジスト【WEBセミナー】
セミナーNo.
260680
開催日時
2026年06月24日（水） 13:00～17:00
主催
（株）Ｒ＆Ｄ支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
講師
東北大学 マイクロシステム融合研究会 ( μSIC ) 　講師 山田 達也 氏
【講師経歴】
1989年　姫路工業大学 (現兵庫県立大学) 修士課程 卒業
同年　　ナガセ電子化学 (現ナガセケムテックス) 入社
2022年　ナガセケムテックス退職
2024年　東北大学 マイクロシステム融合研究会 ( μSIC ) 講師就任
2025年 大阪産業技術総合研究所 Beyond 5G ワーキンググループ幹事就任
【研究歴】
　ポジ・ネガ型フォトレジスト、層間絶縁膜、オーバーコート材
【所属学会】
　MEF 学会、マイクロシステム融合研究会、
　大阪産業技術総合研究所 Beyond 5G ワーキンググループ
【著書】
　「半導体製造プロセス材料とケミカルズ」
価格
非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  44,000円 （本体価格：40,000円）
学生：  49,500円 （本体価格：45,000円）
価格関連備考
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　・1名で申込の場合、44,000円（税込）へ割引になります。
　・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
　・3名以上での申込は1名につき24,750円
会員登録とは？　⇒　よくある質問
持参物
受講にはWindowsPCを推奨しております。
タブレットやスマートフォンでも受講可能ですが、機能が制限される場合があります。
備考
・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
習得できる知識
フォトリソグラフィプロセス
フォトリソグラフィ加工用装置
フォトレジスト区分と適用される原料構造
フォトレジストに求められる要求特性
フォトレジスト用原料の構造設計
フォトレジストの光化学反応とフォーミュレーション
フォトレジスト評価方法
フォトリソグラフィが適用されるアプリケーション
フォトレジストトラブルシューティング
これから求められるフォトレジスト
趣旨
　半導体用の微細加工用に適用されるフォトレジストは、半導体の黎明期には、数十um程度であったモノが、半導体素子の高性能化に伴い、昨今では、数nm レベルの加工に至っている。また、フォトレジストが、ディスプレイ、車載デバイス、通信デバイスに適用されるようになり、その使用法と要求特性は微細化のみならず、多様性を極めている。
　特に、シンギュラリティの実現に伴い、今後必要とされる高性能な5感センサー、ソフトロボトロニクス、高速 (移動) 通信用のデバイスにおいては、従来のアプリケーション向けフォトレジストとは、更に特殊な要求が求められる事となっている。
　今回の講演では、フォトレジストに求められる要求特性とそれを達成するための材料設計をメインにフォトレジストとはどういうモノであるかについて具体的に紹介する。

プログラム

１．フォトレジスト材料
　1-1　フォトレジストとは
　1-2　光化学反応に基づく4つのカテゴリー
　1-3　露光波長毎のポジ型フォトレジスト原料構造と光化学反応
　　　　　G～I線露光
　　　　　KrF 露光
　　　　　ArF 露光
　　　　　EUV 露光

２．G~I線露光用ポジ型フォトレジスト原料の構造とレジスト設計
　2-1　G~I線露光用ポジ型フォトレジスト原料構成
　2-2　ノボラック樹脂の合成方法と構造特性
　2-3　バラスト化合物と感光材の構造特性
　2-4　各種添加剤の構造特性 (増感剤、界面活性剤)
　2-5　溶剤の構造特性

３．フォトレジストのパターニングプロセスと性能影響因子
　3-1　基板
　3-2　塗布
　3-3　プリベーク
　3-4　露光
　3-5　マスク
　3-6　PEB
　3-7　現像・リンス
　3-8　ポストベーク

４．フォトレジストのパターニング後の耐性評価
　4-1　ウェットエッチング
　4-2　ドライエッチング
　4-3　イオンインプラ
　4-4　めっき
　4-5　リフトオフ
　4-6　犠牲層・構造化

５．フォトレジストのトラブルシューティング

６．フォトレジストが適用されるアプリケーション
　6-1　半導体
　6-2　パワーモジュール(車載・エナジーハーベスト)
　6-3　MEMS 5感センサー
　6-4　次世代高速移動通信Beyond5G/6G
　6-5　光デバイス

７．アプリケーションの進化に伴いこれから求められるフォトレジスト予想

８．事前に頂いたフォトレジストに関するお悩み相談室
 

スケジュール
※ご質問は随時チャット形式で受け付けます。また音声でも可能です。
キーワード
半導体,レジスト,ディスプレイ,MEMS,通信,トラブルシューティング,web,セミナー
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