2021年02月26日(金)
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・半導体プロセス・デバイス技術者・学生/教員・企業関係者・研究企画関係者
・半導体プロセス技術全般(特にALD技術)・半導体デバイス技術(特にMOSデバイス)・半導体材料の評価技術(電気的/化学的/物理的)
AIや5GなどIoT技術の進歩を支えている半導体加工技術において、高機能で高品質の薄膜を形成することは、非常に重要である。薄膜形成技術については、古くからいろいろな手法が開発され、LSI、ディスプレイ、太陽電池などのエレクトロニクスの分野で広く活用されてきた。本セミナーでは、近年、特に注目を浴びているALD(原子層堆積)技術について、その基礎と応用について概説する。特に、堆積の原理や材料について詳しく紹介する。また、薄膜トランジスタやパワーデバイスに応用した時の特長や課題についても紹介する。
1. 薄膜形成技術
1.1 薄膜作製の基礎
1.1.1 各種堆積技術の原理
1.1.2 各種薄膜の特長
1.2 薄膜の評価手法
1.2.1 電気的評価手法
1.2.2 化学的分析手法
1.2.3 光学的評価手法
2. ALD技術の基礎
2.1 ALD技術の原理
2.2 ALD薄膜の特長
2.3 ALD技術の歴史
2.4 ALD装置仕組み
2.5 ALD技術の材料
3. ALD技術の応用
3.1 半導体分野への活用状況
3.2 パワーデバイスへの応用
3.3 酸化物薄膜トランジスタへの応用
3.4 MOS LSIへの応用
4. ALD技術の将来
4.1 ALE技術
4.2 ALD技術の課題と展望