1．パワーエレクトロニクスとは？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
2-2 特性向上への挑戦
2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-4 最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
2-5 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiC-MOSFETプロセス
3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
3-6 最新SiC-MOSFET技術
4．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
5．高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発