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第1部 EUVリソグラフィの要素技術・課題と今後の展望
＜講演の趣旨＞
2017年EUV光源パワーが250Wを達成したことにより、2019年の7nmノードからの本格的な量産が開始された。現在5nmノードまで進展し、Critical layer数層から10数層へと加工領域が広がっており、Smart phone等のMobile機器で身近に微細化の恩恵に預かっている。TSMCの5nmノードからはDouble Patterningの導入、2025年にはNA0.55のHigh NA機が登場し、さらなる微細化が顕著となり、マスク吸収体材料、Stochastic Errorに対応したレジスト材料、ペリクルなど新しい材料開発が進められている。本講演では現状と今後の課題を簡潔にお話したい。
＜プログラム＞
１．EUVリソグラフィー開発小史
２．EUVリソグラフィーの要素技術と課題
３．今後のDevice加工の推移とEUVLの役割
４．半導体開発の地政学
５．今後の開発課題
5.1 マスク吸収体厚の低減と微細化
5.2 多層膜の寿命拡大への試み
5.3 Pellicle膜の開発
5.4 その他
６．高NA機の概要と現状
７．まとめ
□質疑応答□
［得られる知識］
EUVL開発での日本の役割、如何なる技術開発に力点を置くべきか
［こんな人におススメ］
材料開発のリーダー、予備知識は不要
［キーワード］
EUVL, Source, Mask, Resist, Multilayer, Hydrogen damage
［参考図書］
Extreme Ultraviolet Lithography, Principle and Basic Technologies, Hiroo Kinoshita, 2021.9（2nd version）
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第2部 EUVレジストの課題と開発動向
＜講演の趣旨＞
電子デバイスのさらなる高速化・大容量化・省電力化に不可欠なEUVレジストは、長い年月を経て2019年に量産適用に至った。しかしながら、期待されるEUVレジストの性能には遠く課題山積である。EUVレジストの課題と開発動向に関し解説する。
＜プログラム＞
１．私たちの世の中を取り巻く環境の変化
２．EUVリソグラフィの必要性
３．EUVリソグラフィの歴史
４．EUVリソグラフィ実現のための国家プロジェクトEIDECでの検討
4.1 アウトガス問題の解決と世界アライン
4.2 メタルレジストの開発
５．EUVレジストの課題、最新動向、技術開発の紹介
5.1 ストカスティック（確率論的）因子低減と量産適用に対する開発
5.2 ストカスティックの分析、Photon StochasticとChemical Stochasticの解説
5.3 Photon StochasticとChemical Stochastic低減のためのアプローチ
□質疑応答□
［得られる知識］
EUVリソグラフィの歴史、実現のための課題とその解決検討状況
［こんな人におススメ］
リソ関連、レジスト材料、原材料従事者、特に若い研究員。化学系企画・マーケティング従事者等
［キーワード］
EUVリソグラフィ、半導体、EUVレジスト、ストカスティック
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第3部 放射線化学に基いたメタル含有レジストの研究
＜講演の趣旨＞
EUVリソグラフィにおいて、次世代サブ10 nmHP用（オングストロームノード用）として期待されるメタル含有レジストの反応機構と課題について解説します。
＜プログラム＞
１．レジストとは
２．次世代レジストの課題
３．レジストの像形成機構
４．なぜ、メタルが必要か
５．光吸収と光電子放出
６．二次電子と減速過程と熱化
７．熱化電子の還元作用
８．放射線化学反応
９．溶解度変化のメカニズム
１０．課題
１１．まとめ
□質疑応答□