最先端ドライエッチング技術【東京開催】

～ドライエッチングのプロと装置・コンポーネント・材料メーカーエンジニアのための特別講座～
～GAAエッチング、クライオエッチング、アトミックレイヤーエッチングを含む最先端ドライエッチング～
～スマートファクトリ対応インテリジエントツールを詳説～

ドライエッチング【東京開催】

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2023年10月27日（金） 13:00～16:30

サイエンス＆テクノロジー（株）

Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム

きゅりあん　5F　第3講習室

非会員： 49,500円（税込）
会員： 46,970円（税込）
学生： 49,500円（税込）

定　価　：1名につき 49,500円（税込）
会員価格：1名につき 46,970円　2名の場合 49,500円、3名の場合 74,250円（税込）

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※他の割引は併用できません。
※セミナー請求書は代表者のメールアドレスにPDFデータを添付しお送りいたします。

25名
※オンラインセミナーはありません。定員がありますのでお早めにお申込みください。

※製本テキスト（当日会場でお渡しします。）
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、
　セミナーを中止することがございます。

・マルチパターニング、GAAエッチング、1.4nmノード配線エッチング、3D NANDのHARクライオエッチングなど、ドライエッチングの最新の技術動向を学ぶことができる。
・最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング(ALE)の原理、応用について学ぶことができる。
・スマートファクトリ対応インテリジェントツールについて学ぶことができる。

半導体デバイスの微細化・高集積化が進むにつれ、ドライエッチングに課せられる要求はますます厳しくなってきています。ロジックデバイスでは3nmノードからGAA (Gate ALL Around) 構造が採用され、また1.4nmノード以降の配線は、これまでのCuダマシンから、Ruなどの金属材料をエッチングして形成する方式に変わると予想されています。フラッシュメモリは3次元化され、既に200層以上の3D NANDが量産されています。また、10nmノード以降のデバイスでは原子レベルで表面反応を制御するアトミックレイヤーエッチング(ALE)が必要となってきています。半導体のスマートファクトリでは、装置自身が自己診断してメインテナンス時期を知ったり、プロセス条件のずれを修正するような、いわゆるインテリジェントツールが求められています。本セミナーでは、ドライエッチングの最新技術動向、ALEおよびインテリジエントツールについて分かりやすく解説します。

　セミナーでは、最初に本講座を理解する上で必要とされるドライエッチングの基礎について解説します。次に最先端ドライエッチング技術として、マルチパターニング、FinFETやGAAなどのロジックFEOLエッチング、1.4nm以降のロジック配線エッチング、さらには3D NANDのHARエッチングについて具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。3D NANDのHARエッチングでは、最近話題になっている超低温(クライオ)エッチングについても解説します。ALEに関しては最初に原理と特徴について解説し、次にALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには10nmロジックデバイスから量産適用が始まったSiO2のALEや、GAAや3D NANDのような３次元構造デバイスで必要とされる等方性ALEについて詳細に解説します。インテリジェントツールに関しては、チャンバーモニタリング、セルフメインテナンス、フィードフォワード/フィードバック制御やバーチャルメトロロジー(VM)を中心に解説します。

　本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、ドライエッチングのプロを目指す方に最適な講座となっています。また、半導体装置メーカー、コンポーネントメーカー、材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの最新技術動向を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。