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半導体用レジストの基礎とプロセスの最適化
およびEUVリソグラフィ技術・材料の最新動向【WEBセミナー】
■フォトレジストの基本原理（光化学反応・溶解性）■　■ポジ型／ネガ型レジスト■
■レジストとSi基板の密着性向上■　■レジストの現像特性と評価■　
■HMDS処理と感度・現像特性への影響■■EUVリソグラフィの特徴と課題■　
■EUV・メタルレジスト材料の動向■　■PFAS規制の影響とPFASフリーレジストの開発動向■

セミナー概要
略称
半導体レジスト・EUV【WEBセミナー】
セミナーNo.
st260313
開催日時
2026年03月17日（火） 10:30～16:30
主催
サイエンス＆テクノロジー（株）
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
講師
大阪公立大学　大学院工学研究科　物質化学生命系専攻　
化学バイオ工学分野　高分子化学研究グループ　
教授　博士(工学)　堀邊 英夫　氏　【講師紹介】
[ご専門]
高分子物性（フィラー分散高分子の電気特性、PVDFの結晶構造制御、レジスト材料・プロセス、活性種とポリマーとの反応性）

（株）日立ハイテク　ナノテクノロジーソリューション事業統括本部　事業戦略本部　主任技師
藤森 亨　氏
[ご専門]　有機化学、有機合成化学、リソグラフィ材料とプロセス
MNCプログラムコミッティ　パターンマテリアルズセクションヘッド
IWAPS　International Advisory Committee Members
JJAP, ACS, JVST 論文審査官
価格
非会員： 44,000円（税込）
会員： 42,020円（税込）
学生： 44,000円（税込）
価格関連備考
定　価　：1名につき 44,000円（税込）
会員価格：1名につき 42,020円　2名の場合 55,000円、3名の場合 82,500円（税込）

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※他の割引は併用できません。
※請求書は主催会社より代表者のメールアドレスにご連絡いたします。
備考
・製本テキスト(開催前日着までを目安に発送)
　※セミナー資料は開催日の４～５日前にお申し込み時のご住所へ発送致します。
　※間近でのお申込みの場合、セミナー資料の到着が開催日に間に合わないことがございます。
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

【ライブ配信（Zoom使用）セミナー】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
　PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
・お申し込み後、接続確認用URL（https://zoom.us/test）にアクセスして接続できるか等ご確認下さい。
・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
講座の内容
受講対象・レベル
・ レジスト材料研究開発を始めたばかりの方から、ある程度の研究経験を経た方。
・ 業務に活かすため、レジストについての知見を得たいと考えている方
・ レジストに取り組んでいるが、感度、解像度、基板とも密着性のような課題があり困っている方
・本テーマに関心ある化学材料メーカーや周辺部材メーカーの方々。
　分かりやすく解説するので、若手研究者やマーケティング担当、新規分野探索担当の方、さらには新人教育資料にも適。予備知識は不要。

※本セミナーは、日本国内在住の方を対象としております。
※海外からのアクセス・受講はご遠慮いただいております
趣旨
【第1部】
　本セミナーでは、レジスト材料・プロセスの最適化について紹介する。
　半導体、LCD等の電子デバイス製造では、成膜、パターン作製 (レジスト塗布、露光、現像) 、エッチング、レジスト剥離、洗浄等のプロセスを複数回繰り返すことにより、基板上にトランジスタを形成している。特に、微細素子のパターニングに用いられるレジストの剥離プロセスにおいては、硫酸、過酸化水素、アミン系有機溶剤など環境負荷の大きい薬液を大量に使用する。

【第2部】
　３０年にもおよんだ長い検討期間を経て、ついに２０１９年EUVリソグラフィが量産適用された。しかしながら、適用された各技術は序章、課題山積であり６年を経過した今なおレジストメーカーによる活発な開発が行われている。
　本セミナーでは、EUVフォトレジスト材料に関し、その特有の課題の解説および各種材料の最新動向を解説するとともに、近年話題となっているPFAS規制のレジストへの影響に関し解説する。
プログラム

【第1部】　10:30～14:30
「レジスト材料・プロセスの評価」
　大阪公立大学　教授　堀邊 英夫　氏

１．半導体とレジストについて
　 1.1 半導体の微細化
　 1.2 電子デバイスの製造工程
　 1.3 レジスト解像度とレジスト材料の変遷
　 1.4 半導体プロセスにおける各種レジスト
　 1.5 レジストに要求される特性

２．レジストの基本原理
　 2.1 レジストの基本原理（光化学反応）
　 2.2 レジストの現像特性（溶解性）
　 2.3 リソグラフィー工程とポジ/ネガ型レジスト
　 2.4 i線/g線用ノボラック系ポジ型レジスト
　 2.5 KrF用，ArF用レジスト（化学増幅型）
　 2.6 レジストの解像度向上

３．レジストとSi基板との密着性について
　 3.1 レジストの密着性の向上
　 3.2 HMDSの感度特性への影響

４．ノボラック系ポジ型レジストの現像特性について
　 4.1 レジストの現像特性の評価
　 4.2 レジストの分子量と溶解特性の関係
　 4.3 レジスト現像アナライザを用いた現像特性評価
　 4.4 プリベーク温度を変えたレジストの現像特性
　 4.5 PACのエステル化率を変化させたノボラック系ポジ型レジストの現像特性評価

□質疑応答□


【第2部】　14:45～16:30
「EUVリソグラフィ技術の最新動向とPFAS規制の影響」
　株式会社日立ハイテク　藤森 亨　氏

１．リソグラフィ微細化の歴史
　1.1 リソグラフィ概要　
　1.2 露光波長短波化による微細化の歴史　
　1.3 それをささえるフォトレジスト材料の進化

２．EUVリソグラフィ
　2.1 歴史、反応機構の特徴
　2.2 EUVレジスト特有の課題、ストカスティック因子とは何か？
　2.3 化学増幅型レジストによる高性能化　
　2.4 メタルレジストとは？その特徴と例

３．PFAS規制の影響 
　3.1 PFAS規制とは　　
　3.2 PFAS規制のレジスト材料への影響
　3.3 PFAS freeレジストの開発動向

□質疑応答□

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