本シリーズでは、限られたお時間内でより深刻・重大な情報をお届けできますよう、新たに報じられる情報も加味し、講演内容(場合により主題トピック)を変更する可能性がございます。また、情勢の変化に応じて内容が変更となる場合もございますので、予めご了承ください。
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【第1部 AIデータセンター投資の経済的破綻構造】
第1章 AI投資はすでに異常水準に達している
1-1 ハイパースケーラー各社の設備投資競争の実態
1-2 「成長投資」から「脱落回避の軍拡」への変質
1-3 本セミナーの分析フレームワーク：GPU・HBM・電力の三要素分解
第2章 MicrosoftとGoogleに見る投資規模の実態
2-1 Microsoft：設備投資645～800億ドル、減価償却220億ドルの重圧
2-2 Google：設備投資914億ドル、Cloud営業利益の3.3倍に達する投資規模
2-3 従来のクラウド投資サイクルとの比較と逸脱の程度
第3章 AIデータセンターのコスト構造
3-1 GPU：H100/GB200のシステム価格とクラスタ単位の投資規模（数億～7億ドル）
3-2 HBM：1GPUあたり6千～1.2万ドルのメモリコストと供給集中リスク
3-3 電力：1万GPUクラスタで20MW・年間175GWh・年間電力コスト2,500万ドル超
3-4 三要素の加速度的コスト増大構造
第4章 従来の回収モデルは成立しない
4-1 クラウドビジネスの従来型回収モデルとの違い
4-2 1万GPUクラスタの年間総コスト約2.1億ドルの内訳
4-3 稼働率70%前提で必要請求単価 約3.4ドル/GPU時間の算出
4-4 AIサービスAPI価格の急落とコスト高止まりの逆行現象
4-5 「スケールするほどリスクが増大する」モデルへの転換
第5章 破綻ライン ― 三つの崩壊シナリオ
5-1 破綻ラインの定義と算出方法
5-2 シナリオ1：ソフト崩壊（価格競争激化、年間赤字約4,490万ドル）
5-3 シナリオ2：ハード崩壊（電力・冷却コスト上昇、年間赤字約8,170万ドル）
5-4 シナリオ3：金融崩壊（償却期間短縮＋資本コスト、年間赤字約1.33億ドル）
5-5 破綻は"非線形"に起きる ― BREAKDOWN ZONEの可視化
5-6 電力制約：GPUスケーリングと原発換算基数
5-7 経済と物理の"二重破綻"の結論
【第2部 ヘリウム供給途絶 ― AIブームを崩壊させる「見えない臨界点」】
第6章 中東情勢が引き起こした「ヘリウムショック」
6-1 カタールLNG施設停止と世界He供給33%消失の経緯
6-2 ヘリウムの物理的特性と産業的重要性（半導体・医療・宇宙）
6-3 Airgas社のフォース・マジュール宣言と供給配分の変化
第7章 ドライエッチング装置におけるヘリウムの役割と代替不可能性
7-1 プラズマからの入熱とウエハー温度制御の原理
7-2 静電チャック（ESC）＋Heによる裏面冷却メカニズム
7-3 Heの熱伝導率がN₂の約6倍・Arの約8倍である物理的根拠
7-4 広い温度帯域（-80℃の極低温～100℃の高温）への対応
7-5 Heは「消耗品」として使い捨てされている現実
7-6 He途絶＝「プロセス成立不能」を意味する理由
第8章 極低温エッチングの崩壊 ― 先端半導体は作れなくなる
8-1 3D NANDメモリホールの高アスペクト比エッチングへの影響
8-2 GAAナノシート形成における高選択比エッチングへの影響
8-3 TELが開発したHF/PF₃＋Cryoエッチング技術の解説
8-4 極低温エッチングの先端DRAM・先端ロジックへの展開
第9章 韓国メモリメーカーの苦境
9-1 カタール依存65%：韓国が抱える構造的脆弱性
9-2 在庫枯渇のカウントダウン（5カ月未満）
9-3 Samsung・SK hynix停止がもたらすグローバルサプライチェーンの混乱
9-4 リンデ・エアプロダクツとの長期契約報道の評価
第10章 TSMCが直面する"二重の制約"
10-1 2nm（N2）GAAプロセスにおけるHe依存
10-2 台湾のLNG依存と電力リスクの同時発生
10-3 N2遅延がApple・NVIDIA・AMD等の次世代製品に与える連鎖的影響
第11章 米国も安全ではない ― 世界最大のHe生産国の構造的制約
11-1 長期契約による拘束
11-2 極低温ISOコンテナ200基以上の中東滞留と物流インフラの崩壊
11-3 精製能力の上限
11-4 Intel 18A、Micron、TSMC Arizona工場への影響とCHIPS法のボトルネック
第12章 日本半導体への甚大な影響
12-1 Rapidus 2nm：技術面・調達面の二重リスク
12-2 TSMC熊本工場：ノード別（22/28nm、12/16nm、N3）影響分析
12-3 Micron広島工場：DRAM/HBMへの影響
12-4 車載用ロジック・パワー半導体（AEC-Q100/Q101規格不適合リスク）
12-5 日本自動車産業への波及 ― 「使える半導体が不足する」構造的供給危機
【第3部 フォース・マジュール連鎖と対策・羅針盤】
第13章 AI半導体サプライチェーンの構造的脆弱性
13-1 GPU/AI ASIC（TSMC依存）・HBM（SK hynix/Samsung/Micron依存）・3D NANDのダブル・トリプル制約
13-2 ハイパースケーラー4社合計 年間3,000億ドル超の投資前提が崩れる
13-3 ボトルネックの再定義：「電力」の前に「製造」が止まる
第14章 フォース・マジュール連鎖の4段階
14-1 第1段階：産業ガス供給者（Airgas、Linde、Air Products）
14-2 第2段階：半導体メーカー（SK hynix、Samsung → TSMC、Micron → Intel）
14-3 第3段階：AIチップベンダー（NVIDIA、AMD、Broadcom、Apple等）
14-4 第4段階：ハイパースケーラー（Microsoft、Google、Amazon、Meta）
14-5 時価総額1～2兆ドル規模の毀損リスク
14-6 3Mフロリナート事例との対比と今回の危機の本質的な違い
第15章 提言 ― 臨界点からの回避策と羅針盤
15-1 短期（0～6カ月）：代替調達先の確保と外交的対応
15-2 中期（6カ月～2年）：Heの戦略物資化、国家備蓄制度の設計、調達先多角化
15-3 長期（2～5年以上）：He依存からの脱却 ― ESC表面設計の革新、代替ガス研究、産官学連携体制の構築
15-4 日本の半導体産業・自動車産業が今すぐ取るべきアクション
第16章 総括 ― 経済的破綻と物理的破綻の同時進行が意味するもの
16-1 AIデータセンター投資の採算破綻とHe供給途絶の合流点
16-2 半導体シリコンサイクルからの帰結：GPU・HBM・DRAM・SSD・HDDの価格大暴落リスク
16-3 AIブームの熱狂の先にあるもの ― 行動の時間的余裕は急速に失われている
□質疑応答□
※講演プログラムは、最新の報道や動向などを踏まえ、より重要度の高い内容へ適宜アップデートする可能性がございます。また、情勢の変化に応じて、講演題目・趣旨・目次等を一部変更する場合がございますので、予めご了承ください。