1.先端半導体のトレンド／デバイス構造／製造プロセス
1) ロジック／メモリーのトレンド
2) デバイス構造
3) 製造プロセス
2.半導体製造プロセスにおけるエッチング
1) エッチングの種類
2) エッチングの課題
3.ドライエッチングの基礎とプロセス技術
1) ドライエッチング装置の種類
2) ドライエッチングプロセスの特徴
3) ドライエッチングの原理
4) ドライエッチング損傷
5) 各種材料のドライエッチング
Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN
4.ウェットエッチングの基礎とプロセス技術
1) ウェットエッチングの原理
2) ウェットエッチングの律速過程
3) 各種材料のウェットエッチング
Si、SiO2、Si3N4、GaAs、InP、GaN
5.原子層エッチングの基礎と最新技術
1) 原子層プロセスのトレンド
2) 原子層エッチング基礎と分類
3) 有機金属錯体反応を用いた熱ALE
4) プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
5) ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
6) フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
6.実プロセスにおけるエッチングの課題・トラブル事例と対策
1) 光デバイスエッチングにおける凹凸発生
7.まとめと今後の課題