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酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術・研究開発動向と今後の展開

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セミナー概要

略称
酸化ガリウムパワーデバイス
セミナーNo.
180254  
開催日時
2018年02月26日(月)12:30~16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
新宿文化センター 4F 第1会議室 ⇒ 第4会議室(部屋が移動になりました。会場とフロアは同じです。)
価格
非会員: 49,980円(税込)
会員: 47,250円(税込)
学生: 10,800円(税込)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円(税込)から
 ★1名で申込の場合、47,250円(税込)へ割引になります。
 ★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円(2人目無料)です。
学校関係者価格は、企業に在籍されている研究員の方には適用されません。

■ 会員登録とは? ⇒ よくある質問
備考
資料付

講座の内容

受講対象・レベル
 電機メーカー、自動車メーカー、半導体材料・装置メーカーなどの研究開発・企画戦略・生産製造などに携わる方。
 
習得できる知識
・Ga2O3物性の基礎知識
・バルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報
 
趣旨
 酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
 
プログラム
1.はじめに
 1.1  Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
 1.2  将来的なGa2O3デバイスの用途

2.Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
 2.1  単結晶バルク融液成長
 2.2  単結晶Ga2O3ウェハー

3.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
 3.1  オゾンMBE成長
 3.2  プラズマMBE成長
 3.3  HVPE成長

4.Ga2O3トランジスタ開発
 4.1  横型MESFET
 4.2  横型DモードMOSFET
 4.3  横型フィールドプレートMOSFET
 4.4  横型EモードMOSFET
 4.5  縦型DモードMOSFET (CAVET)
 4.6  海外のGa2O3トランジスタ開発動向

5.Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
 5.1  HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
 5.2  縦型フィールドプレートSBD

6.まとめ、今後の課題

【質疑応答・名刺交換】
 
キーワード
パワー半導体,次世代,材料,装置,製造,成膜,作製,部品,薄膜,講座,研修,セミナー

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