SiC/ GaNパワーデバイスの現状・課題・展望

～EV対応に向けた性能、信頼性の向上～

１．パワーエレクトロニクスとは？
　1-1.パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2.パワー半導体の種類と基本構造
　1-3.パワーデバイスの適用分野
　1-4.高周波動作のメリットは？
　1-5.シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。なぜ？
　1-6.パワーデバイス開発のポイントは何か？

２．最新シリコンIGBTの進展と課題
　2-1.IGBT開発のポイント
　2-2.IGBT特性向上への挑戦
　2-3.薄ウェハ　フィールドストップ（FS）型IGBTの誕生
　2-4.IGBT特性改善を支える技術
　2-5.薄ウェハ化の限界
　2-6.最新のIGBT技術：まだまだ特性改善が進むIGBT

３．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1.半導体デバイス材料の変遷
　3-2.ワイドバンドギャップ半導体とは？
　3-3.SiCのSiに対する利点
　3-4.各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか？
　3-5.SiCウェハができるまで
　3-6.SiC-ダイオードそしてSiC-MOSFET開発へ
　3-7.太陽光PCSに使われたSiC-MOSFET
　3-8.なぜSiC-MOSFETがEV,PHVに適しているのか？
　3-9.SiCのデバイスプロセス
　3-10.SiCデバイス信頼性のポイント
　3-11.最新SiCトレンチMOSFET　
　　
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
　4-1.なぜGaNパワーデバイスなのか？
　4-2.GaNデバイス構造は”横型GaN　on　Si”が主流。なぜGaN　on　GaNではないのか？
　4-3.GaN-HEMTデバイスの特徴
　4-4.GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
　4-5.GaN-HEMTの課題
　4-6.Current　Collapse現象メカニズム
　4-7.GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
　4-8.縦型GaNデバイスの最新動向

５．高温対応実装技術
　5-1.高温動作ができると何がいいのか
　5-2.SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-3.ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

６．まとめ