2025年07月24日（木）
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株式会社日立ハイテク
ナノテクノロジーソリューション事業統括本部
プロセスシステム製品本部 プロセス東京技術センタ
松崎 望 氏
【ご専門】
半導体メモリデバイス
【ご略歴】
1988年 (株)日立製作所 日立研究所・中央研究所にて，主に半導体不揮発性メモリデバイ
スの研究開発に従事。
2012年 (株)日立ハイテクの前身である(株)日立ハイテクノロジーズに転籍，メモリデバ
イス全般の技術マーケティングに従事。
非会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員：
46,200円
（本体価格：42,000円）
学生：
49,500円
（本体価格：45,000円）
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若手技術職，営業職の方など，半導体メモリデバイスの概要を広く学習したい方全般。
電気・物理のごく初歩的な知識(「電子」，「電界」と言われて判る程度で可)
各種メモリデバイスの動作原理・構造，最新の開発動向等をダイジェスト的に広く学習でき，各デバイスメーカの動向なども知ることができます。
半導体デバイスとその製造技術は微細化（スケーリング）によって進化を遂げ，その恩恵を受けたコンピューティング技術や情報通信技術は大きく発展してきました。それに伴う膨大なデータ量を扱うため，メモリデバイスの重要性も益々高まっています。
しかしながら，物理的な寸法限界，動作特性あるいは製造コスト等の面から，微細化それ自体が非常に難しくなってきたことも事実です。この壁を乗り越えるため，新たな材料や製造プロセス技術の導入によって微細化のトレンドを延命する，あるいはデバイスの構造スキーム自体を変更することで実効的に微細化を図る等，様々な工夫を凝らした技術開発が続いています。
本講演では，メモリデバイス技術の基本，最新の技術開発・研究動向および市場等を多面的かつ平易に解説していきます。
１． はじめに
(1) 半導体のスケーリング
２． 半導体メモリの基礎知識と技術・市場動向
2-1. 様々なメモリと位置付け
(1) メモリの種類
(2) コンピューティングとメモリとの関係
2-2. DRAM
(1) 動作原理と特徴・構造
(2) 製造フロー例の紹介
(3) スケーリングの追求
(4) 技術課題と学会動向・技術トレンド
(5) 市場動向
2-3. NANDフラッシュ
(1) 動作原理と特徴・構造
(2) スケーリングの限界と3D構造への転換
(3) 製造プロセスフロー例
(4) 技術課題と学会動向・技術トレンド
(5) 市場動向
2-4. NORフラッシュ／ロジック混載フラッシュ
(1) 動作原理と特徴・構造
(2) 主な応用
(3) 市場動向
2-5.新メモリデバイス技術
(1) MRAM（磁気抵抗メモリ）
(2) PCM（相変化メモリ）
(3) FeRAM（強誘電体メモリ）
(4) ReRAM（抵抗変化メモリ）
３． おわりに ～さらなる飛躍へ～
(1) まとめ
【質疑応答】
半導体,メモリ,デバイス,DRAM,NAND,NOR,市場,動向,セミナー,講演,研修
