１．ウェットエッチングの基礎
1-1 ウェットエッチングの産業応用（半導体、液晶、プリント基板、５G応用）
1-2 加工技術としての位置づけ（設計値とシフト量）
1-3 基本プロセスフロー（前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄）
1-4 プロセス支配要因（濡れ、律速、反応速度、エッチング機構）
1-5 等方性エッチング（アンダーカット）
1-6 結晶異方性エッチング（結晶方位依存性）
1-7 表面エネルギー理論による界面浸透解析（拡張エネルギーS,円モデル）
1-8 処理装置（液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング）
２．アンダーカット形状コントロール
2-1 支配要因（界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性）
2-2 形状コントロール（エッチングラインの高精度化）
2-3 高精度形状計測（断面SEM、定在波法、光干渉法、X線CT）
３．プロセスの基礎と最適化要因
3-1 被加工表面の最適化（表面被膜、汚染、欠陥の影響）
・被加工膜の材質依存性（Cu、Al、Si、ガラス、高分子膜）
・表面汚染（大気中放置、自然酸化）
・表面前処理（疎水化および親水化）
3-2 エッチング液
・エッチング液の選定（等方性/異方性）
・エッチングレート（反応律速）
・エッチング液の劣化（物質移動律速）
3-3 エッチングマスク
・マスク剤の選定（レジスト膜、無機膜）
・マスク剤の最適化（マスク形成と高精度化）
・マスクの形状劣化（熱だれ、転写特性）
・マスク内の応力分布と付着強度（応力集中と緩和理論）
・エッチング液の浸透（CLSM解析）
４．トラブル要因と解決方法（最短の解決のために）
4-1 マスクパターンの剥離（付着エネルギーWa及び剥離要因）
4-2 エッチング液の濡れ不良（ピンニング不良）
4-3 エッチング開始点の遅れ（コンタクトラインのVF変形）
4-4 ホールパターンの気泡詰まり（界面活性剤）
4-5 エッチング表面の荒れ（気泡、異物）
4-6 金属汚染（RCA洗浄）
4-7 液中酸化（溶存酸素）
4-8 再付着防止（DLVO理論、ゼータ電位）
4-9 乾燥痕（ﾏﾗﾝｺﾞﾆｰ対流、IPA蒸気乾燥）
５．質疑応答
（日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます）