2019年07月24日（水）
10:30～16:30
Tel：03-5857-4811 E-mail：info@rdsc.co.jp
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非会員：
49,500円
（本体価格：45,000円）
会員：
47,025円
（本体価格：42,750円）
学生：
49,500円
（本体価格：45,000円）
48,600円 (会員受講料 46,170円 )
定価：本体45,000円＋税3,600円
会員：本体42,750円＋税3,420円
【2名同時申込みで1名分無料！（１名あたり定価半額の24,300円）】
※2名様とも会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
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※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
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過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
近年は、電気自動車（EV）の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。
EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。
１．パワーエレクトロニクスとは？
1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1.2 パワー半導体の種類と基本構造
1.3 パワーデバイスの適用分野
1.4 高周波化のメリット
1.5 Si-MOSFET・IGBTの伸長
1.6 パワーデバイス開発のポイント
２．最新シリコンパワーデバイス（Si-IGBT）の進展と課題
2.1 パワーデバイス市場の今と将来
2.2 IGBT開発のポイント
2.3 IGBT特性改善を支える技術
2.4 薄ウェハ化の限界
2.5 IGBT特性改善の次の一手
2.6 新しいコンセプトのIGBT（RC-IGBT）開発
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 半導体デバイス材料の変遷
3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3.3 SiCのSiに対する利点
3.4 なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか？
3.5 SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
3.6 SiCウェハができるまで
3.7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
3.8 最近のSiC-MOSFETトピックス
3.9 SiCのデバイスプロセス（Siパワーデバイスと何が違うのか）
3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3.12 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4.2 GaNデバイスの構造
4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4.4 GaN-HEMTデバイスの特徴
4.5 ノーマリ－オフ特性
4.6 GaN-HEMTのノーマリ－オフ化
4.7 GaN-HEMTの課題
4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
4.10 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ
５．高温対応実装技術
5.1 高温動作ができると何がいいのか
5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5.3 パワーデバイスの動作パターン
5.4 パワーデバイス動作中の素子破壊例
5.5 信頼性設計とシミュレーションの活用
６．まとめ
□質疑応答・名刺交換□
