ホーム > セミナー > ALD(原子層堆積法)の基礎と高品質膜化および最新動向

★ 大好評!通算第7回。今回はさらに1時間ボリュームUP!霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説いたします。
★ CVDの速度論からALDプロセス開発・製品応用へ。
★ CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説!

ALD(原子層堆積法)の基礎と高品質膜化および最新動向

~今、ホットで注目のALDを基礎から学びます。高品質化・最適化へ~

セミナー概要

略称
ALD
セミナーNo.
st200331  
開催日時
2020年03月30日(月)10:00~17:00
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 5F 第2講習室
講師
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 教授 霜垣 幸浩 氏

【専門】 反応工学・材料工学

【主な研究内容】
・CVD/ALD法によるULSI高信頼性多層配線形成プロセスの開発
・ALD法によるULSIデバイス用電極形成プロセスの開発
・SCFD法によるメモリキャパシタ形成プロセスの開発
・MOVPE法によるLED製造プロセスの開発
・化学反応設計に基づく耐熱構造材料形成CVDプロセスの開発

【活動】
・1984年から現在に至るまで,CVD/ALD法による薄膜合成の研究開発に従事
・2007年より,化学工学会反応工学部会CVD反応分科会代表として,CVD関連技術の普及・発展に寄与
・2014年開催ALD国際学会実行委員長

【講師WebSite】
http://www.dpe.mm.t.u-tokyo.ac.jp (研究室)
http://www2.scej.org/cre/cvd/index.html (CVD反応分科会)
価格
非会員: 55,000円(税込)
会員: 52,250円(税込)
学生: 55,000円(税込)
価格関連備考
55,000円 ( 会員受講料 52,250円 ) 会員登録について
定価:本体50,000円+税5,000円
会員:本体47,500円+税4,750円

【2名同時申込みで1名分無料!(1名あたり定価半額の27,500円)】
※2名様とも会員登録が必須です。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、1名あたり定価の半額で追加受講できます。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
備考
※資料・昼食付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

講座の内容

習得できる知識
・CVD/ALD法に関する速度論の基礎的知識
・上記に基づくCVD/ALD薄膜形成プロセスの開発・解析能力 を学ぶことが出来ます。
趣旨
 Atomic Layer Deposition(ALD、原子層堆積法)による薄膜合成は、ナノメートルレベルでの膜厚制御性、膜厚均一性などから、ULSIゲート酸化膜形成、メモリキャパシタ形成などに応用展開されている技術です。しかし、そのプロセスは、原料の供給、パージ、反応性ガスの供給、パージなどからなり、各段階での条件設定は、これまでの類似手法であるChemical Vapor Deposition(CVD、気相薄膜形成法)と比較して、かなり複雑であり、速度論の基礎的知識なしには容易に最適化を達成できません。
 このため、本講座では、まずALDの基礎知識として、CVDの速度論から説明を行い、CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養うことを目標とします。また、ALDプロセスの理想と実際について、原理およびメカニズムから詳しく解説を行い、新たにALDプロセス開発・製品応用に関わる方の一助となるよう配慮した講義を行います。
プログラム

■第1部 薄膜作製の基礎

1.薄膜作製入門
 1.1 薄膜の種類と用途
 1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
 1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
 1.4 PVDとCVD、ALD

2.真空の基礎知識
 2.1 真空度とは
 2.2 平均自由行程とクヌッセン数
 2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計

3.PVDプロセス
 3.1 真空蒸着の基礎
 3.2 スパッタリング

■第2部 ALD/CVDプロセスの反応機構と速度論

4.ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
 4.1 CVDプロセスの素過程
 4.2 CVDプロセスの速度論
  4.2.1 製膜速度の温度依存性-表面反応律速と拡散律速
  4.2.2 製膜速度の濃度依存性-1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
 4.3 CVDプロセスの均一性

5.表面・気相の反応機構解析入門
 5.1 素反応機構と総括反応機構
 5.2 気相反応の第一原理計算と精度
 5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析

■第3部 ALDプロセスの基礎と展開

6.ALDプロセスの基礎
 6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
 6.2 ALDプロセスの理想と現実
  6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
  6.2.2 ALDプロセスの均一性
  6.2.3 ALDプロセスの量産性

7.ALDプロセスの応用と展開
 7.1 ALDプロセスの応用用途
 7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
  7.2.1 Quartz Crystal Microbalance(QCM)によるその場観察と最適化
  7.2.2 製膜遅れ時間(Incubation Time)の観測と最適化
 7.3 新しいALD技術
  7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
  7.3.2 Spatial ALD
  7.4 ALD国際会議について

  □質疑応答・名刺交換□

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