★ 大好評!通算第7回。今回はさらに1時間ボリュームUP!霜垣先生が、ALDの最新動向を熱く解説いたします。
★ CVDの速度論からALDプロセス開発・製品応用へ。
★ CVD/ALDプロセスの開発・解析能力を養い、ALDプロセスの理想と実際を徹底解説!
■第1部 薄膜作製の基礎
1.薄膜作製入門
1.1 薄膜の種類と用途
1.2 代表的な半導体デバイスにおける薄膜の用途と作製方法
1.3 ウェットプロセスとドライプロセス
1.4 PVDとCVD、ALD
2.真空の基礎知識
2.1 真空度とは
2.2 平均自由行程とクヌッセン数
2.3 真空の質と真空ポンプ、真空計
3.PVDプロセス
3.1 真空蒸着の基礎
3.2 スパッタリング
■第2部 ALD/CVDプロセスの反応機構と速度論
4.ALDの基礎としてのCVDプロセス入門
4.1 CVDプロセスの素過程
4.2 CVDプロセスの速度論
4.2.1 製膜速度の温度依存性-表面反応律速と拡散律速
4.2.2 製膜速度の濃度依存性-1次反応とラングミュア・ヒンシェルウッド型反応
4.3 CVDプロセスの均一性
5.表面・気相の反応機構解析入門
5.1 素反応機構と総括反応機構
5.2 気相反応の第一原理計算と精度
5.3 表面反応機構の量子化学的検討と実験的解析
■第3部 ALDプロセスの基礎と展開
6.ALDプロセスの基礎
6.1 ALDプロセスの基礎理論と製膜特性
6.2 ALDプロセスの理想と現実
6.2.1 ALDプロセスの温度依存性
6.2.2 ALDプロセスの均一性
6.2.3 ALDプロセスの量産性
7.ALDプロセスの応用と展開
7.1 ALDプロセスの応用用途
7.2 ALDプロセスの解析手法と最適化
7.2.1 Quartz Crystal Microbalance(QCM)によるその場観察と最適化
7.2.2 製膜遅れ時間(Incubation Time)の観測と最適化
7.3 新しいALD技術
7.3.1 プラズマALD、プラズマALE、ホットワイヤーALD
7.3.2 Spatial ALD
7.4 ALD国際会議について
□質疑応答・名刺交換□