☆注目されるALD法(原子層堆積法)について、基礎から解説!
問題点と対策方法から、低温ALDについて、また今後の発展が期待されるALE( Atomic Layer Eching )についても解説!

ALDの基礎と原料の開発・選択
※会場が変更になりました(3/19更新)
江東区産業会館 → きゅりあん 4F 研修室

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セミナー概要
略称
ALD
セミナーNo.
190399
開催日時
2019年03月28日(木) 10:30~16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 4F 研修室
価格
非会員:  50,906円 (本体価格:46,278円)
会員:  48,125円 (本体価格:43,750円)
学生:  11,000円 (本体価格:10,000円)
価格関連備考
■ 会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で49,980円(税込)から
 ・1名で申込の場合、47,250円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,980円(2人目無料)です。
■ 会員登録とは? ⇒ よくある質問
■ 学生価格は、教職員や研究員、企業に在籍されている学生には適用されません。
また、当日学生証をご持参ください。
定員
30名 ※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
昼食・資料付き
講座の内容
受講対象・レベル
これからALDを始めようとする技術者やALD原料の開発者、ALDで問題を抱える技術者など
必要な予備知識
自然科学、化学について大学卒業程度の知識
習得できる知識
目的の金属系膜をALDで作製できる。ALDの原料選択が的確になる。
趣旨
 ALD(Atomic Layer Deposition)技術の基礎とALDの原料として用いられる有機金属化合物の一般的特徴。ALD用原料としての揮発可能な原料の開発指針。多種原料の特徴とどれがALDに適しているかを解説する。また、原料の揮発・輸送手段の例とそれぞれの問題点をあげ、その対策法を具体的に紹介する。さらに現在、注目を集めている遷移金属薄膜のALD原料・成膜、ならびに近年盛んになった低温ALDについても触れる。最後に今後の発展が期待されるALE(Atomic Layer Eching)について、ALDの逆工程の応用についても提案する。
プログラム
1.はじめに
 1-1 気相成長原料の過去・現在
 1-2 気相成長技術の採用

2.ALDの基礎
 2-1 化学吸着とALDサイクル
  a TMAとH2O
  b H2Oと反応しない原料
  c ALDサイクルの初期層
 2-2 非化学吸着のよるALDサイクル
  a 物理吸着とALDサイクル
  b 問題点 

3.原料の基礎
 3-1 有機金属原料
  a 有機金属とは
  b 有機金属の合成法
  c 有機金属の実用

4.原料の分子設計
 4-1 揮発性
  a 有機金属結合型
  b 共有結合性有機金属
  c イオン結合性有機金属
  d 蒸気圧向上法
  e 蒸気圧測定法
 4-2 低融点
  a 共有結合とイオン結合
  b 低融点化
  4-3 分子軌道計算
  a 分子間力
  b 成長シミュレーション

5.原料の安全性
 5-1 消防法危険物
  a 引火性
  b 発火性
  c 水との反応性
  d 爆発性
 5-2 毒性
  a 急性毒性・慢性毒性
  b 特に注意すべき原料

6.原料の製造
 6-1 量産性
 6-2 コスト

7.原料の分解
 7-1 熱分解
  a 自己分解
  b 雰囲気ガス
  7-2 分解温度の調整
  a 低温化
  b 高温化
  7-3 保存安定性
  a 保存容器
  b 保存状態
  c 安定剤

8.原料の揮発・輸送
 8-1 蒸気圧直接供給
  a ガス原料
  b 微差圧駆動MFC
 8-2 キャリアガスバブリング
  a 液体原料
  b 溶液原料 --- タイプA, タイプB
  c 蒸気圧と揮発性
 8-3 ダイレクトリキッドインジェクション
  a 液体原料
  b 溶液原料
 8-4 原料の同時供給
  a Pre-reaction
  b Adduct形成

9.原料各論
 9-1 原料の種類と性質
  a タイプA
  b タイプB
 9-2 族別原料の性質
  a 1,2族
  b 17族

10.新しいALD状況
 10-1 メタル膜ALD
  a ラジカル種を用いたALD
  b 新原料を用いたALD
    c 第3成膜種利用
 10-2 アトミックレイヤーエッチング(ALE)
  a 代表例
  b ALEのチャレンジ
 10-3 低温ALD
  a TMAによるAl2O3
  b 他の多量体原料
  c 各種原料の室温反応性比較

11.まとめ

 【質疑応答・名刺交換】
キーワード
ALD,原子層堆積法,原料,成膜,セミナー,研修,講習
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