先端的デバイス製作に必須の超精密研磨／CMPプロセス技術の基本原理から将来型加工技術へ【LIVE配信】

Ⅰ 基礎編：超精密加工技術の基礎編
－研磨／CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、
　　　　　　　　　　　　　　各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解－
　1. 超精密研磨（研削／ラッピング／ポリシング／CMP等）技術の位置づけ、必要性と適用例
　2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
　3. 各種機能性材料の超精密ポリシング　－コロイダルシリカ・ポリシング／CMPを含めて－
（ここで登場する被加工用基板：HD・光ファイバ用ガラス、Si、サファイア、
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　GaAs、LT、水晶、GGG、SiC、有機結晶など）

Ⅱ デバイス化への応用編：
－超LSIデバイス・多層配線用の平坦化CMPの基本的考え方、
　　　　　そしてハイブリッド・ボンディングへの道／3D ICプロセスへの適用のキー技術－
　1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
　2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例　－パッド・スラリーそして装置―
　3. パッドのドレッシング
　　－非破壊ドレッシング／HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
　4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学（d-EC）装置の紹介
　5．Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
　6. 3D ICプロセスにおけるCu-CMPとハイブリッド・ボンディング
（ここで登場する被加工用基板：Si、SiO2、Cu、W、Co、Ta、TaN、TiN、PI等の有機膜など）

Ⅲ 将来加工編；将来加工技術
－革新的高能率・高品質加工プロセス技術（SiC・GaN/Diamond基板を対象として）－
　1. 革新的加工技術へのブレークスル　－（2つの考え方から）加工条件改良型ブレークスル－
　　　ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
　2. 将来型加工技術に向けて／新しい研磨方法の可能性を探る
　　（1）加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
　　（2）パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
　　（3）挑戦型加工によるブレークスルー
　　　　　将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
（ここで登場する加工用基板：SiC、HD用ガラス、GaN、
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ダイヤモンド、サファイア、Si、SiO2など）

Ⅳ 総括編：
－今後の加工技術を捉える（深化するAIとシンギュラリティ【技術的特異点】を見据えて）－
　　　将来型3D ICを目指して異種材料/多結晶材料の平坦化手法の探索
　　　◎重要五大キー加工技術：
　　　　・超精密CMP融合技術
　　　　・超薄片化プロセス技術
　　　　・超薄片化加工
　　　　・大口径超精密ボンディング技術
　　　　・修正トリミング加工

【質疑応答】