☆半導体表面形態制御技術とそのメカニズムについて詳しく解説！
半導体の高品質化・製造工程の低コスト化に繋がりうる技術を習得できます！
こちらは3/25（水）実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。期間中何度でも視聴できます
１．半導体の結晶構造と表面形態
1-1 半導体の結晶構造とバンドギャップ
1-2 SiCの結晶構造 3C,4H,6H-SiC
1-3 SiCパワーデバイス
1-4 半導体表面のステップ・テラス構造
1-5 SiCの結晶学的方位とステップ・テラス
1-6 結晶成長と表面形態
２．半導体表面形態制御方法
2-1 機械研磨
2-2 化学機械研磨（CMP）
2-3 酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去
2-4 水素エッチング
2-5 ステップバンチング現象
2-6 SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム
(1) エネルギー論的効果
(2) 速度論的効果
(3) 弾性論的効果
３．SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
3-1 SiC熱分解法によるグラフェン・カーボンナノチューブの成長
3-2 SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係
3-3 SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係
3-4 ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響
3-5 ポリマー支援熱分解グラフェン成長におけるステップバンチング抑制
４．SiC表面のステップアンバンチング現象
4-1 加熱雰囲気によるSiC表面の変化
4-2 SiC表面のステップバンチング
4-3 SiC表面のステップアンバンチング
4-4 アンバンチングメカニズムの考察
4-5 ステップアンバンチング現象の応用展開
(1) SiC半導体製造プロセスへの適用
(2) 他の半導体でのアンバンチング現象
【質疑応答】