1.半導体洗浄の基礎
1-1 技術変革とクリーン化要求
1-2 分子のイオン解離
1-3 洗浄に求められる機能と課題
2.ウエハー表面汚染の除去
2-1 異物(パーティクル)除去
2-2 有機物除去
2-3 金属(メタル)除去
2-4 金属の電気化学的付着及びその抑制
3.post CMP 洗浄技術
3-1 CMPプロセスの概要
3-2 post CMP 洗浄プロセス
3-3 post CMP 洗浄の技術動向
4.post CMP 洗浄剤の機能設計
4-1 洗浄剤のターゲット汚染と要求性能
4-2 洗浄における課題
4-3 洗浄の作用機構
4-4 洗浄剤のケミカル材料と配合設計
4-5 酸性/アルカリ性による洗浄剤の機能設計
5.基板の表面/界面評価技術
5-1 post CMP洗浄の性能評価
5-2 パーティクル除去性評価
5-3 有機残渣評価
(a) 残渣溶解試験
(b) 水晶振動子マイクロバランス(QCM)による溶解性評価
(c) Open circuit potential (OCP) による吸着・脱離挙動解析
(d) ToF-SIMSによる表面残渣解析
5-4 基板表面の配線腐食、表面酸化状態解析
(a) XPSによる金属酸化状態の解析
(b) 電気化学的還元分析
(c) AFM/KFMによる局所構造解析
(d) Tafel PlotによるGalvanic腐食評価
6 まとめ
※8/22 プログラム更新