☆本講座の前半では、半導体のウェット洗浄技術の基礎からCMPおよび後洗浄プロセスのトレンドなど応用用途について俯瞰する。
後半では、CMP後洗浄剤の機能設計、評価・解析手段について解説します。
※オンライン会議アプリzoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。
こちらは11/15（水）実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。期間中何度でも視聴できます
１．半導体洗浄の基礎
1-1 技術変革とクリーン化要求
1-2 分子のイオン解離
1-3 洗浄に求められる機能と課題
２．ウエハー表面汚染の除去
2-1 異物（パーティクル）除去
2-2 有機物除去
2-3 金属（メタル）除去
2-4 金属の電気化学的付着及びその抑制
３．post CMP 洗浄技術
3-1 CMPプロセスの概要
3-2 post CMP 洗浄プロセス
3-3 post CMP 洗浄の技術動向
４．post CMP 洗浄剤の機能設計
4-1 洗浄剤のターゲット汚染と要求性能
4-2 洗浄における課題
4-3 洗浄の作用機構
4-4 洗浄剤のケミカル材料と配合設計
4-5 酸性／アルカリ性による洗浄剤の機能設計
５．基板の表面／界面評価技術
5-1 post CMP洗浄の性能評価
5-2 パーティクル除去性評価
5-3 有機残渣評価
(a) 残渣溶解試験
(b) 水晶振動子マイクロバランス（QCM）による溶解性評価
(c) Open circuit potential (OCP) による吸着・脱離挙動解析
(d) ToF-SIMSによる表面残渣解析
5-4 基板表面の配線腐食、表面酸化状態解析
(a) XPSによる金属酸化状態の解析
(b) 電気化学的還元分析
(c) AFM/KFMによる局所構造解析
(d) Tafel PlotによるGalvanic腐食評価
6 まとめ
※8/22 プログラム更新