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☆薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマの生成機構や特徴について解説します！
☆プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法など解説します！

プラズマの基礎と半導体プロセス・エッチング入門【アーカイブ配信】

こちらは12/4（月）実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。期間中何度でも視聴できます

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
半導体エッチング【アーカイブ配信】
セミナーNo.
231279A
配信開始日
2023年12月05日（火）
配信終了日
2023年12月19日（火）
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
価格
非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  46,200円 （本体価格：42,000円）
学生：  49,500円 （本体価格：45,000円）
価格関連備考
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　★1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
　★2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
■会員登録とは？　⇒　よくある質問
備考
・こちらは12/4（月）実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。
・配信開始日までにセミナー資料（PDF形式）、閲覧用URL（※データの編集は行っておりません）をお送りします。
・セミナー資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体プロセスや薄膜形成などに用いるプラズマについて、その基本的な機構、およびエッチングや成膜技術についての原理を理解したい方。
必要な予備知識
特にプラズマについての予備知識は必要ありません。基礎から解説します。
習得できる知識
半導体プロセスに用いられるプラズマの特徴と基礎、プラズマCVDの原理とSi系薄膜の膜質制御の考え方、ドライエッチングの原理と種々のエッチング手法などが習得できる。
趣旨
プラズマは現在では産業の広い分野で日常的に使われています。しかし、プラズマの原理やプラズマを用いることの利点については、あまり系統的に学ぶ機会がないと思います。現在の応用だけでなく、今後道具としてさらにプラズマを利用していくためには、その物理的な考え方、特徴を理解することが不可欠になります。そこで、本セミナーでは、まず前半で薄膜堆積やドライエッチングなどの半導体プロセスに用いられるプラズマ（非平衡プラズマと呼ばれる）の生成機構や特徴について解説します。後半ではそれらを踏まえて、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて説明します。
プログラム

1．プラズマの基礎
　　1-1.　プラズマ中の衝突現象とその定量的な取り扱い
　　1-2.　衝突反応の種類と反応速度定数の考え方
　　1-3.　Boltzmann方程式
　　1-4.　Boltzmann方程式から得られるプラズマの基礎方程式（拡散方程式、連続の式など）
　　1-5.　プラズマの生成（直流放電プラズマ）
　　1-6.　プラズマの生成（容量性結合RF放電プラズマ）
　　1-7.　プラズマの生成（誘導性結合RF放電プラズマ）
　　1-8.　プラズマの生成（大気圧低温プラズマ）

2．プラズマCVD
　　2-1.　プラズマCVDの特徴と原理（アモルファスSi薄膜を中心に）
　　2-2.　代表的なプラズマCVD装置
　　2-3.　製膜パラメータの考え方
　　2-4.　アモルファスSi堆積条件と高品質化

3．プラズマエッチング
　　3-1.　プラズマエッチングの特徴と原理（等方性、異方性）
　　3-2.　代表的なエッチング装置
　　3-3.　エッチングダメージ
　　3-4.　終点検出の原理

キーワード
半導体,プラズマ,プラズマエッチング,ドライエッチング,半導体プロセス,講演,セミナー
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