1.半導体の結晶構造と表面形態
1-1.半導体の結晶構造とバンドギャップ
1-2.SiCの結晶構造3C,4H,6H-SiC
1-3.SiCパワーデバイス
1-4.半導体表面のステップ・テラス構造
1-5.SiCの結晶学的方位とステップ・テラス
1-6.結晶成長と表面形態
2.半導体表面形態制御方法
2-1.機械研磨
2-2.化学機械研磨（CMP）
2-3.酸化膜形成とフッ化水素酸によるその除去
2-4.水素エッチング
2-5.ステップバンチング現象
2-6.SiCにおける2種類のステップバンチングとそのメカニズム
(1)エネルギー論的効果
(2)速度論的効果
(3)弾性論的効果
3.SiC表面へのグラフェン成長とステップバンチング
3-1.SiC熱分解法によるグラフェン・カーボンナノチューブの成長
3-2.SiCの結晶学的方位によるグラフェン成長の関係
3-3.SiC表面形態とグラフェン電子物性の関係
3-4.ステップバンチングに及ぼすグラフェンの影響
4.SiC表面のステップアンバンチング現象
4-1.加熱雰囲気によるSiC表面の変化
4-2.SiC表面のステップバンチング
4-3.SiC表面のステップアンバンチング
4-4.アンバンチングメカニズムの考察
4-5.ステップアンバンチング現象の応用展開
(1)SiC半導体製造プロセスへの適用
(2)他の半導体でのアンバンチング現象
【質疑応答】