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Ⅰ 基礎編:超精密加工技術の基礎編
-研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、
各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解-
1. 超精密研磨(研削/ラッピング/ポリシング/CMP等)技術の位置づけ、必要性と適用例
2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
3. 各種機能性材料の超精密ポリシング -コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて-
(ここで登場する被加工用基板:HD・光ファイバ用ガラス、Si、サファイア、
GaAs、LT、水晶、GGG、SiC、有機結晶など)
Ⅱ デバイス化への応用編:
-超LSIデバイス・多層配線用の平坦化CMPの基本的考え方、
そしてハイブリッド・ボンディングへの道/3D ICプロセスへの適用のキー技術-
1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例 -パッド・スラリーそして装置―
3. パッドのドレッシング
-非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学(d-EC)装置の紹介
5.Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
6. 3D ICプロセスにおけるCu-CMPとハイブリッド・ボンディング
(ここで登場する被加工用基板:Si、SiO2、Cu、W、Co、Ta、TaN、TiN、PI等の有機膜など)
Ⅲ 将来加工編;将来加工技術
-革新的高能率・高品質加工プロセス技術(SiC・GaN/Diamond基板を対象として)-
1. 革新的加工技術へのブレークスル -(2つの考え方から)加工条件改良型ブレークスル-
ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
2. 将来型加工技術に向けて/新しい研磨方法の可能性を探る
(1)加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
(2)パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
(3)挑戦型加工によるブレークスルー
将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
(ここで登場する加工用基板:SiC、HD用ガラス、GaN、
ダイヤモンド、サファイア、Si、SiO2など)
Ⅳ 総括編:
-今後の加工技術を捉える(深化するAIとシンギュラリティ【技術的特異点】を見据えて)-
将来型3D ICを目指して異種材料/多結晶材料の平坦化手法の探索
◎重要五大キー加工技術:
・超精密CMP融合技術
・超薄片化プロセス技術
・超薄片化加工
・大口径超精密ボンディング技術
・修正トリミング加工
【質疑応答】