１．はじめに～半導体におけるクリーン度の物理～
（どうして半導体だけがクリーン化を強く推進しているのか、その根本の解説）
２．デバイス性能に影響を及ぼす汚染とその実態
2-1. 原子レベル汚染物質の解説(イールド劣化要因、ファブ内ウェハへのダメージ)：
ボロン、リン、重金属、ナトリウム、塩素、アンモニア、炭素、金、水、酸素
2-2. 微粒子の解説：(1) 大気中浮遊微粒子、(2) 装置内発生コンタミ
３． クリーン化技術
3-1. クリーンルーム技術
・発塵源としての人
・発塵を抑えるクリーンスーツ
・発塵を抑えるクリーンルーム技術
・発塵を抑える人動作
3-2. 高純度化技術（ピュアにする＋汚染を除去する）
・集積回路工程（洗浄プロセスが３割に達する）
・信頼性技術（製造工程での歩留まりと不良の中身）
・スーパークリーンテクノロジー
3-3. ウェーハ洗浄技術
(1) ウェハ洗浄技術
(2) ウォーターマークと乾燥技術
(3) 溶存酸素抑制技術
3-4. 局所クリーン化技術
(1) 基本概念
(2) 垂れ壁方式
(3) 実用半導体工場：200mmファブ、300mmファブでの局所クリーン化
3-5. ミニマルファブ技術
(1) ミニマルファブの基本となったガス遮断型プロセスシステム
(2) アナログ歩留まり
(3) ミニマルファブの概念と概要（含むクリーン化方式とその性能）
(4) 標準化と権利確保戦略
(5) FACT data
(6) NEXT stage
参考文献