半導体デバイス設計入門~Excel演習付き~【LIVE配信】

※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
【アーカイブ配信:2/3~2/17(何度でも受講可能)】の視聴を希望される方は、こちらからお申し込み下さい。

セミナー概要
略称
半導体デバイス設計【WEBセミナー】
セミナーNo.
250184
開催日時
2025年01月31日(金) 10:30~16:30
主催
(株)R&D支援センター
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
講師
駒形技術士事務所 研究開発部 所長 駒形 信幸 氏

【専門】
半導体デバイス

【略歴】
・日本技術士会正員
・応用物理学会正員
(フォト二クス分科会、応用電子物性分科会、薄膜・表面物理分科会、結晶工学分科会、超電導分科会、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会、プラズマエレクトロニクス分科会、シリコンテクノロジー分科会、先進パワー半導体分科会所属)
・電子情報通信学会正員
(基礎・境界ソサイエティ、通信ソサイエティ、エレクトロニクスソサエティ、情報システムソサイエティ、ヒューマンコミュニケーショングループ所属)
価格
非会員:  55,000円 (本体価格:50,000円)
会員:  49,500円 (本体価格:45,000円)
学生:  55,000円 (本体価格:50,000円)
価格関連備考
会員(案内)登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円(税込)から
 ・1名で申込の場合、49,500円(税込)へ割引になります。
 ・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円(2人目無料)です。
■ 会員登録とは? ⇒ よくある質問
備考
・資料付(PDFデータでの配布)
 ※紙媒体での配布はございません。
 ※資料の無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
1)Zoomを使用されたことがない方は、こちら からミーティング用Zoomクライアントを
  ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
2)セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
  ついては こちら をご覧ください。
3)開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
  10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
  ください。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体デバイス開発・設計の実務に携わる若手および中堅技術者の方
必要な予備知識
MS Excelの基本操作が出来ること。
習得できる知識
半導体デバイス開発・設計のための基礎知識が習得できる。
趣旨
最新のMOSトランジスタ開発は、高速化・高集積化を追求し、従来のプレーナ型から3次元構造のFinFETやナノシートFETへと進んでいます。これらの3次元構造のMOSFETの開発や設計は、コンピューターシミュレーションを使用して行われるようになってきました。
しかし、これらのシミュレーションにおいても、パラメータの設定には、従来のプレーナ型MOSFET設計やバイポーラトランジスタで培った半導体知識が必要です。
半導体デバイスの学習は、どうしても数式の導出や羅列が多く、学習意欲が損なわれがちです。そのため、半導体特性計算のコツや半導体物理の基礎、PN接合、MOS構造、MOSトランジスタの特性について、MS Excelを使った計算演習を通じて数値的な実感を持ってもらいます。
また、なぜCMOSが使われるのかという基礎的な理解にも言及し、従来形のMOSFETから最新のMOSFET開発への橋渡しを行います。
プログラム

1.半導体基礎
 1-1.結晶構造と結晶方位
 1-2.CGS単位とSI単位、物理定数
 1-3.シリコンの定数

2.電子の運動とバンド構造
 2-1.電子の運動
  (1)粒子と波動
     ①スリットと干渉
     ②金薄膜の回折
 2-2.エネルギー準位の量子化
  (1)ボーアの水素原子模型
  (2)バンド構造
  (3)結晶のバンド構造
     ①状態密度関数
     ②パウリの排他則とフェルミ‐ディラック分布
      1)パウリの排他則
      2)フェルミ‐ディラック分布
       ●フェルミ準位とは
      3)キャリアのエネルギー分布
 2-3.各種固体のバンド構造
  (1)金属
  (2)半導体
  (3)絶縁体
 2-4.半導体のエネルギー準位図
  (1)各種バンドの表し方
     ①エネルギーと位置
     ②エネルギー分布と位置
     ③エネルギーと波数k
  (2)真性半導体
  (3)N形半導体
  (4)P形半導体

3.キャリアの運動
 3-1・ドリフトと拡散
  (1)ドリフト移動度
  (2)キャリアの拡散
  (3)アインシュタインの関係式とキャリアの拡散長
  (4)演習①(キャリアの拡散長計算)

4.PN接合
 4-1.PN接合のバンド構造
 4-2.PN接合の電流-電圧特性
  (1)計算式
  (2)演習②(飽和電流の計算等)
 4-3.空乏層の拡がり
  (1)階段接合
  (2)傾斜接合
  (3)演習③(空乏層の拡がり計算)

5.不純物濃度の求め方
 5-1.キャリア濃度から
 5-2.体積抵抗率とキャリア濃度の関係グラフ
  (1)演習④(不純物濃度の求め方演習)
 5-3.ドーズ量と接合深さから
 5-4.一般的な文献値から

6.MOS素子基本特性
 6-1.MOS構造
 6-2.ゲートバイアスと反転層の形成
  (1)電荷蓄積層の形成
  (2)空乏層の形成
  (3)反転層の形成
  (4)演習⑤(しきい値電圧計算)

7.MOSトランジスタ
 7-1.MOSトランジスタ電流-電圧の関係式
 7-2.MOSトランジスタの閾値電圧の計算方法
  (1)計算式
  (2)調整方法
  (3)演習⑥(イオン注入によるしきい値電圧調整)
 7-3.耐圧
  (1)ブレークダウン耐圧
     ①アバランシェ降伏(なだれ降伏)
     ②ツェナー降伏
     ③アバランシェ降伏とツェナー降伏の温度特性
  (2)階段接合(無限大平面の場合)のブレークダウン電圧
  (3)空乏層の伸びとブレークダウン電圧の関係
  (4)コーナーRがある場合
  (5)演習⑦(ブレークダウン電圧の計算)
 7-4.アイソレーションと寄生MOS
  (1)寄生MOSのしきい値電圧とチャネルストッパー
  (2)計算式
  (3)演習⑧(寄生 MOSのしきい値電圧の計算)

8.CMOSについて
 8-1.CMOS回路の特徴
 8-2.CMOS回路の実際
 8-3.CMOSプロセスと構造

9.最新構造のMOSトランジスタへのアプローチ

キーワード
半導体,デバイス,設計,CMOS,MOSトランジスタ,MOSFET,セミナー,研修
関連するセミナー
関連する書籍
関連するDVD
関連する通信講座
関連するタグ
フリーワード検索