§1.半導体デバイスにおける洗浄技術の基礎と技術動向と今後の課題
§2.半導体デバイスの物理的洗浄技術と静電気障害への対策
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第1部 半導体デバイスにおける洗浄技術の基礎と技術動向および今後の課題
<白水氏>
1.序論-汚染が半導体デバイスに与える影響
1-1.クリーン化の重要性
1-2.金属汚染(Fe, Cu等)およびナノパーティクル
1-3.分子汚染(NH3, アミン, 有機物, 酸性成分)
1-4.各種汚染の分析解析方法及びモニタリング技術
2.洗浄技術
2-1.RCA洗浄
2-2.各種洗浄液と洗浄メカニズム-薬液系洗浄 vs. 純水系洗浄
2-3.洗浄プロセスの動向
2-4.乾燥技術
2-5.最先端の洗浄技術とその問題点
3.その他の汚染制御技術
3-1.工場設計
3-2.ウェーハ保管、移送方法
4.次世代の汚染制御の問題点と今後の課題
4-1.新洗浄乾燥技術(SCCO2洗浄乾燥, PK剤乾燥)
4-2.次世代の洗浄、汚染制御の問題点と今後の課題
第2部 半導体デバイスの物理的ウエット洗浄の基礎と最新情報の展開
<清家氏>
1.半導体デバイス製造の基礎
1-1.半導体デバイスの基礎
1)半導体材料
2)p型半導体とn型半導体
3)シリコンウェハ上の電子部品の要素と構造
1-2.半導体製造プロセスについて
1)CMOS製造を例としたプロセスの説明
2)なぜ微細化が必要なのか?
1-3.半導体デバイス製造プロセスにおける洗浄の必要性
1)化学的洗浄(RCA洗浄)の基礎
2)物理的洗浄の必要性
3)パーティクルのカウント方法
4)物理洗浄に求められるもの
2.物理的ウエット洗浄
2-1.パーティクルの付着理論
2-2.水流を用いた洗浄原理
2-3.高圧スプレー洗浄
2-4.二流体スプレー洗浄
2-5.メガソニック洗浄
1)メガソニックスプレー
2)石英振動体型メガソニック洗浄方法
2-6.ブラシ洗浄
2-7.次世代の物理的洗浄技術
3.純水スプレー洗浄時の静電気障害
3.1 半導体デバイスの洗浄の静電気障害の実例
3.2 スプレー時に発生する静電気と静電気障害のメカニズム
3.2 静電気障害の対策方法
4.近年の学会情報
4-1.IMEC 主催17th Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces (UCPSS 2025)
4-2.The Electrochemical Society 主催International Symposium on Semiconductor Cleaning Science & Technology (SCST2024)
4-3.応用物理学会 界面ナノ化学研究研究報告