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☆オンライン会議アプリZoomを使ったWEBセミナーです。

半導体材料と半導体デバイス製造プロセス【LIVE配信】
～CMOS製造プロセスを中心に～

※アーカイブ配信（期間：10/21～10/28）のご視聴を希望される方は、【こちらのページ】からお申し込み下さい。

セミナー概要
略称
半導体材料・製造工程【WEBセミナー】
セミナーNo.
251095
開催日時
2025年10月16日（木） 10:00～17:00
主催
（株）Ｒ＆Ｄ支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
講師
サクセス インターナショナル(株)　技術顧問　工学博士　鈴木 俊治　氏

【専門】
　半導体デバイス、MOS LSIプロセス技術（イオン注入技術、アニール技術）

【略歴】
　1968年　ソニー中央研究所
　1989年　ソニー厚木Tec　超LSI研究所
　2000年　ソニーホームエレクトロニクスカンパニー
　2003年　住友イートンノバ（現住友重機会イオンテクノロジー(株)）
　2009年　琉球大学　工学部　電気電子工学科　博士研究員
　2010年　千葉大学　工学部　ナノサイエンス学科　(非常勤講師)
　2011年　半導体産業人協会　教育委員会委員
　2013年　サクセスインターナショナル(株)　技術顧問

【その他の活動・著書など】
　「半導体集積回路シンポジューム」プログラム委員
　雑誌「電気化学」(電気化学会発行)　編集委員
価格
非会員：  55,000円 （本体価格：50,000円）
会員：  44,000円 （本体価格：40,000円）
学生：  55,000円 （本体価格：50,000円）
価格関連備考
会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。
　・1名申込の場合、55,000円（税込）→44,000円（税込）
　・2名同時申込の場合、合計110,000円（税込）→合計55,000円（税込）
　　　※両名の会員登録が必要です。

会員登録とは？　⇒　よくある質問
定員
30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
・本セミナーは「Zoom」を使ったWEB配信セミナーとなります。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体の材料・デバイス・装置など半導体関連企業の、主に若手~中堅の研究者・開発者・技術者、製造にかかわる方、事業企画担当、営業担当の方。
習得できる知識
・半導体の性質、構造と種類。
・バイポーラ―Tr、MOS Trの構造とその基本的動作原理
・CMOS IC作製の流れ
・半導体デバイス作製に用いられる個別プロセス技術
　- リソグラフィー
　- エッチング
　- 不純物導入
　- 成膜
　- 平坦化（CMP）
　- 洗浄技術
　- 多層配線形成方法
趣旨
　半導体材料の構造、種類、性質などとバイポーラトランジスタ(Tr)、MOS Trといった代表的半導体デバイスの基本を説明した後、CMOS LSI作製のプロセス技術の流れを説明する。その後、半導体デバイス作製に使用される、リソグラフィー、エッチング、イオン注入などの不純物導入技術、CVDなどの成膜技術、平坦化に用いられるCMP技術、洗浄技術等などの個別のプロセス技術をCMOS LSIの作成プロセスに沿って説明を進めてゆく。更に、Cu配線等、多層配線の必要性と課題、その形成方法について説明する。最後に、最先端で使用されているFinFETなど構造についても触れる。
プログラム

1. 半導体とは
　・金属、絶縁体との違い
　・半導体の導電性
　・キャリアの移動度
　・半導体材料、半導体の種類
　・半導体の結晶構造

2. 半導体デバイスの基礎
　・p/n接合
　・バイポーラ―トランジスタ
　　- バイポーラ―トランジスタの構造と基本動作原理
　・MOSトランジスタ
　　- MOSトランジスタの構造、動作原理とMOS Trの種類

3. CMOS LSI作製のプロセスフロー
　・180nm程度の世代のPlanar CMOS LSI作製の流れ

4. 個別プロセス
  ・リソグラフィー
　・エッチング
  ・不純物導入
　　- 不純物拡散、イオン注入
  ・成膜技術
　　- 熱酸化、CVD、原子層堆積(ALD)、Sputter、メッキ、SOG
  ・平坦化技術(CMP)
    - 平坦化の必要性、平坦化の方法(CMP)
  ・清浄化技術
    - バッチ式洗浄、枚様式洗浄

5. 多層配線技術
  ・高性能配線
  ・配線の信頼性
  ・Cu多層配線

6．最先端MOS Trについて
　・FinFET、FDSOI Tr、Nanosheet Tr、CFETなど

＜質疑応答＞

キーワード
半導体,デバイス,製造,プロセス,材料,CMOS,接合,アニール,講座,研修,セミナー
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