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☆このセミナーはアーカイブ配信です。配信期間中（10/21～10/28）は、いつでも何度でも視聴できます！

半導体材料と半導体デバイス製造プロセス【アーカイブ配信】
～CMOS製造プロセスを中心に～

※こちらは10/16実施WEBセミナーのアーカイブ（録画）配信です。

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要
略称
半導体材料・製造工程【アーカイブ配信】
セミナーNo.
251095A
配信開始日
2025年10月21日（火）
配信終了日
2025年10月28日（火）
主催
（株）Ｒ＆Ｄ支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
価格
非会員：  55,000円 （本体価格：50,000円）
会員：  44,000円 （本体価格：40,000円）
学生：  55,000円 （本体価格：50,000円）
価格関連備考
会員の方あるいは新規会員登録していただくと、下記の割引が適用されます。
　・1名申込の場合、55,000円（税込）→44,000円（税込）
　・2名同時申込の場合、合計110,000円（税込）→合計55,000円（税込）
　　　※両名の会員登録が必要です。

会員登録とは？　⇒　よくある質問
備考
本セミナーは、約5時間の講演を収録したアーカイブ配信セミナーです。
申込者に限り、配信期間中はいつでも何度でもご視聴いただけます。

【アーカイブ配信セミナーの申込・受講手順】
１）このHPから受講申込をしてください。
２）申込後、受理の自動返信メールが届きましたら申込完了です。また確認後、すぐに請求書をお送りいたします。
３）視聴開始日までにセミナー資料と閲覧用URLをお送りさせていただきます。
　※申込者以外の視聴はできません。録音・録画などの行為を固く禁じます。
　※配布資料の無断転載、二次利用、第三者への譲渡は一切禁止とさせていただきます。
講座の内容
受講対象・レベル
半導体の材料・デバイス・装置など半導体関連企業の、主に若手~中堅の研究者・開発者・技術者、製造にかかわる方、事業企画担当、営業担当の方。
習得できる知識
・半導体の性質、構造と種類。
・バイポーラ―Tr、MOS Trの構造とその基本的動作原理
・CMOS IC作製の流れ
・半導体デバイス作製に用いられる個別プロセス技術
　- リソグラフィー
　- エッチング
　- 不純物導入
　- 成膜
　- 平坦化（CMP）
　- 洗浄技術
　- 多層配線形成方法
趣旨
　半導体材料の構造、種類、性質などとバイポーラトランジスタ(Tr)、MOS Trといった代表的半導体デバイスの基本を説明した後、CMOS LSI作製のプロセス技術の流れを説明する。その後、半導体デバイス作製に使用される、リソグラフィー、エッチング、イオン注入などの不純物導入技術、CVDなどの成膜技術、平坦化に用いられるCMP技術、洗浄技術等などの個別のプロセス技術をCMOS LSIの作成プロセスに沿って説明を進めてゆく。更に、Cu配線等、多層配線の必要性と課題、その形成方法について説明する。最後に、最先端で使用されているFinFETなど構造についても触れる。
プログラム

1. 半導体とは
　・金属、絶縁体との違い
　・半導体の導電性
　・キャリアの移動度
　・半導体材料、半導体の種類
　・半導体の結晶構造

2. 半導体デバイスの基礎
　・p/n接合
　・バイポーラ―トランジスタ
　　- バイポーラ―トランジスタの構造と基本動作原理
　・MOSトランジスタ
　　- MOSトランジスタの構造、動作原理とMOS Trの種類

3. CMOS LSI作製のプロセスフロー
　・180nm程度の世代のPlanar CMOS LSI作製の流れ

4. 個別プロセス
  ・リソグラフィー
　・エッチング
  ・不純物導入
　　- 不純物拡散、イオン注入
  ・成膜技術
　　- 熱酸化、CVD、原子層堆積(ALD)、Sputter、メッキ、SOG
  ・平坦化技術(CMP)
    - 平坦化の必要性、平坦化の方法(CMP)
  ・清浄化技術
    - バッチ式洗浄、枚様式洗浄

5. 多層配線技術
  ・高性能配線
  ・配線の信頼性
  ・Cu多層配線

6．最先端MOS Trについて
　・FinFET、FDSOI Tr、Nanosheet Tr、CFETなど

キーワード
半導体,デバイス,製造,プロセス,材料,CMOS,接合,アニール,講座,研修,セミナー
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