★最先端半導体の開発に対応したパッケージ基板設計、微細接続技術、微細配線形成技術について分かりやすく解説します！
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１．最先端半導体とチップレット
1-1 微細化と高集積化
1-2 マルチチップモジュールとチップレット
1-3 チップレットの必要性
1-4 光電融合の必要性
1-5 大量少品種と少量多品種
1-6 DFMとMFD
２．チップレット・光電融合向け半導体パッケージ基板
2-1 2-xD集積技術
2-2 3D集積技術
2-3 光電融合技術
2-4 高速伝送設計とシミュレーション技術
３．高密度配線を実現する実装技術
3-1 設計ルールとファンアウト配線
3-2 Re-distribution Layer (RDL)技術
3-3 微細接合技術
3-4 光チップレット技術
４．半導体パッケージ基板の信号品質
4-1 抵抗、インダクタ、キャパシタとインピーダンス
4-2 信号の入射と反射
4-3 信号線路と光導波路
4-4 信号線路の特性インピーダンス
4-5 信号線路と光導波路の伝送モード
4-6 絶縁体材料のDk, Dfと高周波特性への影響
4-7 配線の微細化と特性インピーダンス
4-8 シングルエンド伝送と差動伝送
4-9 Sパラメータの概念と見方
4-10 クロストークと抑制技術
4-11 アイパターンの概念と見方
4-12 多値変調技術による高速信号伝送
4-13 チップレット向け高速信号伝送の業界標準UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)
５．半導体パッケージ基板の電源品質
5-1 Power Delivery Network(PDN)インピーダンスの概念とシミュレーションによる等価回路抽出
5-2 PDNインピーダンス低減対策
5-3 配線層数、配線層の厚みとPDNインピーダンスの関係
5-4 Back Side Power Delivery Network(BSPDN)の概念