1.はじめに
1-1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
1-2 将来的なGa2O3デバイスの用途
2.Ga2O3バルク融液成長技術
3.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
3-1 MBE成長
3-2 HVPE成長
3-3 MOCVD成長
4.Ga2O3トランジスタ開発
4-1 横型MESFET
4-2 横型DモードMOSFET
4-3 横型フィールドプレートMOSFET
4-4 縦型DモードMOSFET
4-5 縦型EモードMOSFET
4-6 国内外のGa2O3 FET開発動向
5.Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
5-1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
5-2 縦型フィールドプレートSBD
5-3 縦型ガードリングSBD
5-4 国内外のGa2O3 SBD開発動向
6.まとめ、今後の課題
【質疑応答】