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”デバイス特性を左右する欠陥準位を、正しく評価できていますか？”
バンドギャップが大きくなるほど評価困難になる欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法について、従来の評価技術と比較しながら測定原理から応用例までわかりやすく解説します。

光容量分光法によるワイドギャップ半導体の欠陥準位評価【LIVE配信】

※オンライン会議アプリzoomを使ったWEBセミナーです。ご自宅や職場のノートPCで受講できます。

【アーカイブ配信受講：6/26（金）～7/10 （金）】を希望される方は、⇒こちらからお申し込み下さい。

セミナー概要
略称
半導体欠陥評価【WEBセミナー】
セミナーNo.
2606127
開催日時
2026年06月25日（木） 13:00～16:30
主催
（株）R＆D支援センター
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
講師
中部大学　電気電子システム工学科
教授　博士（工学）　中野 由崇氏

【ご専門】
半導体工学 欠陥準位

【ご経歴】
1991年4月　(株)豊田中央研究所　入社
・デバイス部にて車載用Siパワーデバイスの局所ライフタイム制御技術の開発、GaNパワーデバイスの要素技術の開発
・特別研究室にて可視光応答型光触媒の開発
2008月1月　中部大学に転籍
2024年7月－　NEDO 経済安全保障重要技術育成プログラム 「β-Ga2O3ウエハ、パワーデバイス及びパワーモジュールの開発」にてβ-Ga2O3ウエハ欠陥検査技術の開発に従事
価格
非会員：  49,500円 （本体価格：45,000円）
会員：  46,200円 （本体価格：42,000円）
学生：  49,500円 （本体価格：45,000円）
価格関連備考
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
・1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

※LIVE配信とアーカイブ配信（見逃し配信）両方の視聴を希望される場合
　会員価格で1名につき49,500円（税込）、2名同時申込で60,500円（税込）になります。
　メッセージ欄に「LIVEとアーカイブ両方視聴」と明記してください。

◆◇◆10名以上で同時申込されるとさらにお得にご受講いただけます。◆◇◆
お申込みご希望の方は 【こちら】からお問い合わせください。

会員登録とは？　⇒　よくある質問
定員
30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。
備考
・資料付（PDFデータでの配布）※紙媒体での配布はございません。
　無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントをダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。

２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたについてはこちらをご覧ください。

３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加ください。
講座の内容
受講対象・レベル
次世代パワー半導体として期待されるワイドギャップ半導体の研究開発において欠陥準位評価に関心のある若手技術者の方
必要な予備知識
特に予備知識は必要ありません。
従来の評価技術と比較しながら、測定原理から応用例まで解説します。
習得できる知識
次世代パワー半導体の結晶成長･デバイス開発には様々な課題があるが、欠陥準位に関してはバンドギャップが大きくなるほど評価困難になり、光を用いた欠陥準位評価法が必要となる。その欠陥準位評価法の1つである光容量分光法の特徴や測定方法を習得できる。
趣旨
　ワイドギャップ半導体は高耐電圧・低損失・高温動作といった優れた物性から、Siを超える省エネルギー型パワーデバイス材料として期待されている。特に窒化物半導体では、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスを利用した高周波パワーデバイスが実用段階に達しているが、さらなる性能向上にはヘテロ構造中に残存する欠陥準位の理解が重要である。一方、酸化ガリウム（β‑Ga₂O₃）はGaNやSiCを上回る物性値を持つ次世代パワー半導体として注目され、融液成長による基板の大口径化やデバイス化が進むものの、デバイス特性に直結する欠陥準位の知見は依然として乏しい。本セミナーでは、GaNやβ‑Ga₂O₃などのGa系ワイドギャップ半導体における欠陥準位評価手法として光容量分光法(SSPC)の原理を解説し、AlGaN/GaNヘテロ構造やβ‑Ga₂O₃に存在する欠陥準位の評価事例を紹介する。
プログラム

1．光容量分光法(SSPC)の測定原理と特徴
　1-1．DLTS法の測定原理
　1-2．光容量分光法(SSPC)の測定原理
　1-3．SSPC微分解析による熱的準位と格子緩和の抽出

2．GaNへの適用例
　2-1．AlGaN/GaNヘテロ構造に存在する欠陥準位
　2-2．p-GaNホモエピ膜に存在する欠陥準位

3．β‑Ga₂O₃への適用例
　3-1．EFG単結晶基板に存在する欠陥準位
　3-2．HVPEホモエピ膜に存在する欠陥準位

スケジュール
13:00～14:30　ご講義
14:30～14:45　小休憩
14:45～16:15　ご講義
16:15～16:30　質疑応答

上記は目安です。進行状況などにより前後する可能性があります。
キーワード
ワイドギャップ半導体,欠陥準位,光容量分光法,β-Ga₂O₃,セミナー
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