半導体パッケージの基礎から各製造工程の技術ポイントおよび今後の技術動向【アーカイブ配信】

１．半導体パッケージの基礎～パッケージの進化・発展経緯～
　1.1　始まりはSIPとDIP、プリント板の技術進化に伴いパッケー ジ形態が多様化
　1.2　THD（スルーホールデバイス）とSMD（表面実装デバイス）
　1.3　セラミックスパッケージとプラスチック（リードフレーム）パッケージと
　　　　プリント基板パッケージ
　　
２．パッケージングプロセス（代表例）
　2.1　セラミックスパッケージのパッケージングプロセス
　2.2　プラスチック（リードフレーム）パッケージのパッケージングプロセス
　2.3　プリント基板パッケージのパッケージングプロセス
　　
３．各製造工程（プロセス）の技術とキーポイント
　3.1　前工程
　　3.1.1　BG（バックグラインド）とダイシング
　　3.1.2　DB（ダイボンド）
　　3.1.3　WB（ワイヤーボンド）
　3.2　封止・モールド工程
　　3.2.1　封止：セラミックパッケージの場合
　　3.2.2  プラズマクリーニング
　　3.2.3　モールド
　3.3　後工程
　　3.3.1　外装メッキ
　　3.3.2　切断整形
　　3.3.3　ボール付け
　　3.3.4　シンギュレーション
　　3.3.5　捺印
　3.4　バンプ・FC（フリップチップ）パッケージの工程
　　3.4.1　再配線・ウェーハバンプ
　　3.4.2　FC（フリップチップ）
　　3.4.3　UF（アンダーフィル）
　3.5　試験工程とそのキーポイント
　　3.5.1　代表的な試験工程
　　3.5.2　BI（バーンイン）工程
　　3.5.3　外観検査（リードスキャン）工程
　3.6　梱包工程とそのキーポイント
　　3.6.1　ベーキング・トレイ梱包・テーピング梱包　

４．過去に経験した不具合
　4.1　チップクラック
　4.2　ワイヤー断線
　4.3　パッケージが膨れる・割れる
　4.4　実装後、パッケージが剥がれる
　4.5　BGAのボールが落ちる・破断する
　4.6  捺印方向が180度回転する　
　　
５．試作・開発時の評価、解析手法の例
　5.1　とにかく破壊試験と強度確認
　5.2　MSL（吸湿・リフロー試験）
　5.3　機械的試験と温度サイクル試験
　5.4　SAT（超音波探傷）、XRAY（CT)、シャドウモアレ
　5.5　開封、研磨、そして観察
　5.6　ガイドラインはJEITAとJEDEC
　　
６．RoHS、グリーン対応とサステナビリティ
　6.1　鉛フリー対応
　6.2　樹脂の難燃材改良
　6.3　PFAS/PFOA/対応が次の課題
　6.4  AIデータセンターの電力消費削減に貢献するパッケージ材料（追加）
　　
７．AI基盤を支える2.5D/3Dパッケージとチップレット技術
　7.1　2.5D（CoWoS等）・3Dパッケージの構造 
　7.2　ハイブリッドボンディングと微細バンプ接続 
　7.3　製造のキーはチップとインターポーザー間接合とTSV（シリコン貫通電極） 
　7.4　基板とインターポーザーの進化（シリコンからガラス基板へ）
　7.5　AI向け大面積パッケージ特有の不具合（反り、局所熱応力）

８．AIの進化とパッケージングの未来
　8.1　AIデータセンター向け超多ピン・大型パッケージの熱マネジメント 
　8.2　フィジカルAI（自動運転・ロボット）に求められる高信頼性・耐環境性 
　8.3　光電融合（CPO：Co-Packaged Optics）技術とAI通信の高速化 
　8.4　AIを支える電源供給技術（Power Delivery）とパッケージ内統合