⭐本セミナーでは半導体デバイス、プロセス、実装工程、システム設計の実際について必要な知識を、装置、材料の変遷の歴史を踏まえて、最新の動向まで解説します！
⭐前編では前工程を中心に、後編は後工程および産業動向を中心に徹底解説いたします！
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
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＜前編＞ 6/23（火）10:30～16:30
はじめに
第１章 シリコンの基本
１．シリコンとは？
２．今、なぜシリコンか？
３．半導体材料物性比較
４．シリコンvs．化合物半導体
５．シリコン資源
第２章 シリコンウェハ製造プロセス
１．珪石とは？
２．珪石から金属シリコンの製造
３．金属シリコンから高純度多結晶シリコンの製造
４．単結晶製造
５．円筒研削とオリフラ、ノッチ加工
６．スライシング
７．ベベリングとラッピング、ポリッシング
８．エピタキシャル成長とSOI
９．シリコンウェハの市場規模と日本のシェア
第３章 半導体の基礎物理
１．シリコン結晶
２．半導体の導電形
３．ドーパントの種類
４．半導体と周期律表
●演習問題１
第４章 半導体製造の前工程のポイント
１．基本プロセス
２．全体フロー
３．バイポーラプロセスフロー概略
４．CMOSプロセスフロー概略
５．プロセスのパターン
5-1 不純物導入パターン
5-2 成膜のパターン
5-3 金属配線のパターン
5-4 セルフアライメント
第５章 前工程
１．フォトリソグラフィー工程
1-1 フォトリソグラフィーとは
1-2 フォトリソグラフィー工程の流れ
1-3 レンズ系の解像力と焦点深度
1-4 露光用光源
1-4-1 超高圧水銀灯
1-4-2 エキシマレーザー
1-4-3 EUV光源
1-5 各種露光方式
1-6 フォトレジスト
1-7 レチクル（マスク）とペリクル
1-8 超解像
1-9 近接効果補正
1-10 フォト工程の不良例
●演習問題２
２．洗浄工程とウェットエッチング工程
2-1 ウェットプロセスの概要
2-2 ウェットエッチング
３．酸化・拡散工程
3-1 目的と原理
3-2 ドライ酸化とウェット酸化
3-3 酸化の法則
3-4 その他の酸化
3-5 酸化・拡散装置
3-6 縦型拡散炉の特徴
3-7 選択酸化
3-8 ランピング
3-9 測定装置
3-10 熱電対の種類
3-11 酸化膜の色と膜厚の関係
４．イオン注入工程
4-1 イオン注入の目的と原理
4-2 イオン注入工程の概要
4-3 イオン注入装置
4-4 イオン注入装置の各部名称
4-5 イオン注入で起こる問題
５．CVD工程
5-1 CVDの原理
5-2 プラズマのまとめ
5-3 各種CVD
5-4 CVD装置外観
5-5 減圧CVDとステップカバレッジ
5-6 原子層堆積（ALD）
６．スパッタ工程
6-1 スパッタの原理
6-2 各種スパッタ法
７．ドライエッチング工程
7-1 ドライエッチングの原理と目的
7-2 等方性と異方性
7-3 ドライエッチング工程の概要
7-4 プラズマエッチングと反応性ドライエッチング
7-5 ドライエッチングガス
7-6 反応性イオンエッチング
7-7 ECRエッチング
7-8 ケミカルドライエッチング
7-9 アスペクト比
7-10 選択比
7-11 ローディング効果
7-12 終点検出
８．エピタキシャル成長
8-1 エピタキシャル成長の基本
8-2 ヘテロエピタキシャル成長
９．CMP工程
9-1 CMP工程概要
9-2 装置概要
9-3 各部名称と機能・目的
9-4 CMP適用工程例
9-5 CMP不良事例
１０．電気検査
10-1 はじめに
10-2 ウェハテストとプローブ検査
＜後編＞ 6/24（水）10:30～16:30
第６章 後工程のポイントと全体の流れ
第７章 ユーティリティ
１．クリーンルーム
1-1 防塵管理
1-2 クリーンルームの方式
1-3 HEPAフィルター、ULPAフィルター
1-4 ミニエンバイロメント方式
1-5 ウェハキャリア
1-6 ケミカルフィルター
２．超純水
2-1 超純水とは
2-2 超純水の品質
2-3 超純水製造装置
３．真空機器、ガス
3-1 真空ポンプ
3-2 真空計
3-3 真空計と測定領域
3-4 ヘリウムリークディテクタと四重極質量分析計
3-5 マスフローコントローラ
3-6 ボンベの塗色とガスの種類
第８章 信頼性
１．信頼性とは
２．信頼性試験
３．バスタブカーブ
４．スクリーニングとバーンイン
５．加速試験
６．故障モード
●演習問題３
第９章 品質管理と工程管理
１．QCの７つ道具
２．問題解決とデータ処理の方法
2-1 データの可視化
2-2 K-T法
2-3 t検定
３．シミュレーションを上手に使う
４．正規分布
５．標準偏差
６．工程能力指数
第１０章 環境問題と安全衛生
１．環境問題
２．有機溶剤中毒予防規則
３．消防法における危険物
４．労働安全衛生関係法令
５．ハインリッヒの法則
第１１章 後工程
１．パッケージ
1-1 ハーメチックパッケージと非ハーメチックパッケージ
1-2 各種パッケージ種類
２．バックグラインド工程
３．ダイシング工程
3-1 ダイシング工程概要
3-2 ダイシング基本方式３つ
3-3 高度なダイシングとデュアルダイサー
４．ダイボンディング工程
4-1 ダイボンディングとは
4-2 ダイボンディング方式
4-2-1 共晶接合
4-2-2 樹脂接合
4-2-3 はんだ接合
4-3 ダイボンディングテスト法
4-3-1 軟X線透視
4-3-2 ダイシェアテスト
５．ワイヤボンディング工程
5-1 方式
5-2 TS金線ワイヤボンディング
5-3 アルミ線超音波ワイヤボンディング
5-4 ワイヤボンディングテスト法
６．モールド成型工程
6-1 モールドシーケンス
6-2 フィラー
6-3 シングルプランジャーとマルチプランジャー
6-4 X線透視とワイヤ流れ
6-5 PBGA
７．外装メッキ工程
7-1 原理
7-2 自動メッキライン
８．フレーム切断、足曲げ工程
8-1 フレーム切断
8-2 リードカット
8-3 足曲げ
９．マーキング工程
9-1 インクマーキングとレーザーマーキング
１０．パッケージ電気検査
10-1 テスタ
10-2 ハンドラ
10-3 ファイナルテスト
第１２章 半導体技術の特徴
１．超バッチ処理
２．歩留まりの概念
３．特性の相対的均一性
４．接続の高信頼性
５．TEG(Test Element Group)による開発
６．TAT(Turn Around Time)の長さ
７．工場の稼働と固定費
８．失敗例
第１３章 最先端デバイス、プロセス開発の必要性
１．最先端デバイス、プロセスが必要な理由
２．最先端プロセスの牽引役にならないデバイス
３．最先端デバイスの実際
第１４章 回路セル設計と配置・配線の自動化とVHDL、Verilog-HDLによるシステム設計
第１５章 世界の中の日本製半導体製造装置と材料
第１６章 半導体技術の習得の仕方とこれからの半導体技術、半導体技術者に求められるもの
１．断面フロー
２．たこつぼ
３．個人の能力とチームの能力
４．データの分析方法をフルに活用する
4-1 検定による有意差の評価
4-2 データの可視化
５．中工程、チップレットの考え方
６．必ずレシピ通りに行う適性
参考文献