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レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎と最新技術動向【WEBセミナー】

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セミナー概要

略称
レジスト、リソグラフィ【WEBセミナー】
セミナーNo.
cmc210203  
開催日時
2021年02月03日(水)10:30~16:30
主催
(株)シーエムシー・リサーチ
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます 
価格
非会員: 55,000円(税込)
会員: 49,500円(税込)
学生: 55,000円(税込)
価格関連備考
1名につき 55,000円(税込)※ 資料付

メール会員登録者は 49,500円(税込)
 ★【メルマガ会員特典】2名以上同時申込で申込者全員メルマガ会員登録をしていただいた場合、2名目は無料、3名目以降はメルマガ価格の半額です。
 ★ セミナーお申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
備考
・本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
   → https://zoom.us/test
・当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
・お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
・ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
・「Zoom」についてはこちらをご参照ください。

講座の内容

受講対象・レベル
 ・ 本テーマに興味のある企業の研究者、技術者、製造販売担当、新規事業開発担当、企画担当、特許担当、市場アナリストの方
 ・ これらの職種を希望される学生の方
習得できる知識
・ レジスト、微細加工用材料の基礎知識
・ リソグラフィの基礎知識・最新技術
・ レジスト、微細加工用材料の要求特性
・ レジスト、微細加工用材料の課題と対策
・ レジスト、微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向
趣旨
 メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードとなっている。本講演では、これらのデバイスの微細化を支えるレジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎、要求特性、課題と対策、最新技術・動向を解説し、今後の展望、市場動向についてまとめる。
プログラム
1. リソグラフィの基礎
 1.1 露光
  1.1.1 コンタクト露光
  1.1.2 ステップ&リピート露光
  1.1.3 スキャン露光
 1.2 照明方法
  1.2.1 斜入射(輪帯)照明
 1.3 マスク
  1.3.1 位相シフトマスク
  1.3.2 光近接効果補正(OPC)
  1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
 1.4 レジストプロセス
  1.4.1 反射防止プロセス
  1.4.2 ハードマスクプロセス
  1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術
 1.5 ロードマップ
  1.5.1 IRDSロードマップ
   1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
   1.5.1.2 レジスト、微細加工用材料への要求特性
  1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢

2. レジストの基礎
 2.1 溶解阻害型レジスト
  2.1.1 g線レジスト
  2.1.2 i線レジスト
 2.2 化学増幅型レジスト
  2.2.1 KrFレジスト
  2.2.2 ArFレジスト
  2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術

3. レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の最新技術
 3.1 液浸リソグラフィ
  3.1.1 液浸リソグラフィの基本と課題
   3.1.1.1 従来NAレンズでの液浸リソグラフィ
   3.1.1.2 高NAレンズでの液浸リソグラフィ
  3.1.2 液浸リソグラフィ用トップコート
  3.1.3 液浸リソグラフィ用レジスト
   3.1.3.1 液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
   3.1.3.2 液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
 3.2 ダブル/マルチパターニング
  3.2.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
  3.2.2 リソーエッチ(LE)プロセス用材料
  3.2.3 セルフアラインド(SA)プロセス用材料
 3.3 EUVリソグラフィ
  3.3.1 EUVリソグラフィの基本と課題
  3.3.2 EUVレジスト
   3.3.2.1 EUVレジストの要求特性
   3.3.2.2 EUVレジストの設計指針
    3.3.2.2.1 EUVレジスト用ポリマー
    3.3.2.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
   3.3.2.3 EUVレジストの課題と対策
    3.3.2.3.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
    3.3.2.3.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
   3.3.2.4 最新のEUVレジスト
    3.3.2.4.1 分子レジスト
    3.3.2.4.2 ネガレジスト
    3.3.2.4.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
    3.3.2.4.4 無機/メタルレジスト
 3.4 自己組織化(DSA)リソグラフィ
  3.4.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題
  3.4.2 グラフォエピタキシー用材料
  3.4.3 ケミカルエピタキシー用材料
  3.4.4 高χ(カイ)ブロックコポリマー
   3.4.4.1 Si含有型ブロックコポリマー
   3.4.4.2 有機型ブロックコポリマー
 3.5 ナノインプリントリソグラフィ
  3.5.1 ナノインプリントリソグラフィの基本と課題
  3.5.2 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
  3.5.3 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
   3.5.3.1 光硬化材料
   3.5.3.2 離型剤

4. リソグラフィの技術展望

5. レジスト、微細加工用材料の技術展望と市場動向

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