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次世代パワーデバイス

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セミナー概要

略称
次世代パワーデバイス
セミナーNo.
jms180402  
開催日時
2018年04月27日(金)09:55~16:35
主催
(株)ジャパンマーケティングサーベイ
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
中央区立産業会館 4F 第1集会室
価格
非会員: 48,600円(本体価格:45,000円)
会員: 48,600円(本体価格:45,000円)
学校関係者: 48,600円(本体価格:45,000円)
価格関連備考
1名様 45,000円(税別)テキスト及び昼食を含む

講座の内容

趣旨
 SiC/GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイスについて詳細に解説して頂くことにより、本業界に関わる方々のビジネスに役立てて頂くことを目的とします。
プログラム

1. SiC/GaNパワーデバイスの開発動向 

【10:00~13:40】
  1.パワーエレクトロニクスとは?
   1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
   1-2 パワー半導体の種類と基本構造
   1-3 パワーデバイスの適用分野
   1-4 高周波化のメリット
   1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
   1-6 パワーデバイス開発のポイント

  2.最新シリコンIGBTの進展と課題
   2-1 IGBT開発のポイント
   2-2 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ?
   2-3 IGBT特性向上への挑戦
   2-4 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
   2-5 IGBT特性改善を支える技術
   2-6 薄ウェハ化の限界
   2-7 逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
   2-8 最新のIGBT技術

  3.SiCパワーデバイスの現状と課題
   3-1 半導体デバイス材料の変遷
   3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
   3-3 SiCのSiに対する利点
   3-4 SiC-MOSFETかSiC-IGBTか?
   3-5 SiCウェハができるまで
   3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
   3-7 SiCのデバイスプロセス
   3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
   3-9 最新SiCトレンチMOSFET

  4.GaNパワーデバイスの現状と課題
   4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
   4-2 GaNデバイスの構造
   4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
   4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
   4-5 GaN-HEMTの課題
   4-6 Current Collapse現象メカニズム
   4-7 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
   4-8 縦型GaNデバイスの最新動向

  5.高温対応実装技術
   5-1 高温動作ができると何がいいのか
   5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ

  6.まとめ

 

2. 酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向

【13:40~16:35】
  1. はじめに
   ・Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
   ・将来的なGa2O3デバイスの用途

  2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
   ・単結晶バルク融液成長
   ・単結晶Ga2O3ウェハー

  3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   ・MBE成長
   ・HVPE成長

  4. Ga2O3トランジスタ開発
   ・横型MESFET
   ・横型DモードMOSFET
   ・横型フィールドプレートMOSFET
   ・横型EモードMOSFET
   ・縦型DモードMOSFET
   ・国内外他機関におけるGa2O3トランジスタ開発動向

  5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   ・HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   ・縦型フィールドプレートSBD
   ・国内外他機関におけるGa2O3ダイオード開発動向

  6. まとめ、今後の課題

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