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1. SiC/GaNパワーデバイスの開発動向
【10:00~13:40】
1.パワーエレクトロニクスとは?
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワー半導体の種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波化のメリット
1-5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1-6 パワーデバイス開発のポイント
2.最新シリコンIGBTの進展と課題
2-1 IGBT開発のポイント
2-2 初期のIGBTは全く売れなかった。なぜ?
2-3 IGBT特性向上への挑戦
2-4 薄ウェハ フィールドストップ(FS)型IGBTの誕生
2-5 IGBT特性改善を支える技術
2-6 薄ウェハ化の限界
2-7 逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発
2-8 最新のIGBT技術
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 半導体デバイス材料の変遷
3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
3-3 SiCのSiに対する利点
3-4 SiC-MOSFETかSiC-IGBTか?
3-5 SiCウェハができるまで
3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
3-7 SiCのデバイスプロセス
3-8 SiCデバイス信頼性のポイント
3-9 最新SiCトレンチMOSFET
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
4-2 GaNデバイスの構造
4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-5 GaN-HEMTの課題
4-6 Current Collapse現象メカニズム
4-7 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
4-8 縦型GaNデバイスの最新動向
5.高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
6.まとめ
2. 酸化ガリウムパワーデバイスの開発動向
【13:40~16:35】
1. はじめに
・Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
・将来的なGa2O3デバイスの用途
2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
・単結晶バルク融液成長
・単結晶Ga2O3ウェハー
3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
・MBE成長
・HVPE成長
4. Ga2O3トランジスタ開発
・横型MESFET
・横型DモードMOSFET
・横型フィールドプレートMOSFET
・横型EモードMOSFET
・縦型DモードMOSFET
・国内外他機関におけるGa2O3トランジスタ開発動向
5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
・HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
・縦型フィールドプレートSBD
・国内外他機関におけるGa2O3ダイオード開発動向
6. まとめ、今後の課題