微細化・高精密化への要求が止まらない半導体技術の次なるキー技術であるALE
ALE技術の基礎から各種被膜でのエッチング事例、今後への課題とは・・・
メーカーの研究開発現場に携わる講師がALEの現状をお伝えします!
1.半導体デバイス製造におけるエッチング
1.1 エッチングとは
1.2 エッチング工程の種類
2.デバイス動向とエッチングの先端課題
2.1 ロジック/メモリーデバイスの動向
2.2 エッチングの歴史と先端課題
3.エッチングの基礎
3.1 プラズマエッチング
3.2 ウェットエッチング
4.従来エッチングの課題
4.1 面内分布
4.2 エッチング損傷
5.アトミック レイヤー エッチング(ALE)の基礎
5.1 ALEの原理
5.2 ALE手法の分類
6.有機金属錯体反応による等方性ALE
6.1 La2O3
6.2 Co
7.プラズマアシスト熱サイクルによる等方性ALE
7.1 Si3N4
7.2 SiO2
7.3 TiN
7.4 W
8.ハロゲン化とイオン照射による異方性ALE
8.1 Si
9.フルオロカーボンアシストによる異方性ALE
9.1 Si3N4
10.今後の課題
□ 質疑応答 □