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パワーデバイスについて分かりやすく、詳細に解説

徹底解説 パワーデバイス【WEBセミナー】
～Si・SiC・GaN・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題～

セミナー概要
略称
パワーデバイス【WEBセミナー】
セミナーNo.
st240606
開催日時
2024年06月19日（水） 10:30～16:30
主催
サイエンス＆テクノロジー（株）
問い合わせ
Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　
講師
グリーンパワー山本研究所 所長 工学博士
山本 秀和 氏

【ご専門】
半導体デバイス、半導体結晶

【ご兼任およびご経歴】
・FTB研究所　特別顧問　
・パワーデバイスイネーブリング協会　理事
・千葉工業大学付属研究所　共同研究員
・元 千葉工業大学教授
・元 三菱電機パワーデバイス開発部長

【執筆書籍】
「パワーデバイス」（コロナ社）
「ワイドギャップ半導体パワーデバイス」（コロナ社）、
「現代電気電子材料」（共著、コロナ社）
「半導体ＬＳＩ技術」（共著、共立出版）
「次世代パワー半導体の高性能化と産業展開」（共著、シーエムシー出版）
「はかる×わかる半導体　パワーエレクトロニクス編」（共著、日経BPｺﾝｻﾙﾃｨﾝｸﾞ）
「半導体デバイスの不良・故障解析技術」（共著、日科技連出版社）
「先端パワーデバイス実装技術」（共著、シーエムシー出版）
価格
非会員： 41,800円（税込）
会員： 39,820円（税込）
学生： 41,800円（税込）
価格関連備考
定　価　：1名につき 41,800円（税込）
会員価格：1名につき 39,820円　2名の場合 55,000円、3名の場合 82,500円（税込）

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※他の割引は併用できません。
※請求書は主催会社より代表者のメールアドレスにご連絡いたします。
備考
※資料付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

【ライブ配信（Zoom使用）セミナー】
・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
　PCやスマホ・タブレッドなどからご視聴・学習することができます。
・お申し込み後、接続確認用URL（https://zoom.us/test）にアクセスして接続できるか等ご確認下さい。
・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
講座の内容
受講対象・レベル
パワーエレクトロニクス製品/パワーデバイスの開発者、管理者、営業担当者
※初心者の受講でも問題ない
習得できる知識
・パワーエレクトロニクスおよびパワーデバイスの産業構造　
・パワーデバイスによる電力変換
・パワーデバイスの構造と高性能化
・ワイドギャップ半導体の高いポテンシャルと開発ターゲット
・パワーデバイス用結晶の特異性
・Siパワーデバイスの優位性と課題
・SiCパワーデバイスの優位性と課題
・GaNパワーデバイスの優位性と課題
・Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
・日本の電子デバイス産業における失敗事例
・パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
趣旨
　パワーエレクトロニクス産業を根底から支えているパワーデバイスは、当面はSiデバイスが主流で製造されるのは間違いありません。一方で、Siデバイスの性能向上に限界が見え始めており、次世代パワーデバイス用材料として、ワイドギャップ半導体が期待されています。SiC、GaNおよびGa2O3は、物性値自身がパワーデバイスに適しており、試作されたデバイスの特性は良好です。しかしながら、結晶製造が難しく高価で品質が劣る、信頼性に不安がある、歩留まりが低い等々、量産化には多くの課題があります。また、これまで日本はパワーデバイス産業を牽引してきましたが、その地位は徐々に落ちてきています。
　本セミナーでは、Siおよびワイドギャップ半導体パワーデバイスの進化の歴史と課題および将来展望について、分かりやすく、かつ詳細に解説します。さらに、日本のパワーデバイス産業の復権に向けた提案を述べます。
プログラム

１．パワーエレクトロニクス／パワーデバイス産業
　1.1 パワーエレクトロニクスの展開と産業構造
　1.2 パワーデバイスの用途と産業構造

２．パワーデバイスの構造と高性能化
　2.1 パワーデバイスの構造と要求性能
　2.2 パワーデバイスの高性能化

３．Siパワーデバイスの優位性と課題
　3.1 Siパワーデバイスの優位性
　3.2 Siパワーデバイスの課題

４．SiCパワーデバイスの優位性と課題
　4.1 SiCパワーデバイスの優位性
　4.2 SiCパワーデバイスの課題

５．GaNパワーデバイスの優位性と課題
　5.1 GaNパワーデバイスの優位性
　5.2 GaNパワーデバイスの課題

６．Ga2O3パワーデバイスの優位性と課題
　6.1 Ga2O3パワーデバイスの優位性
　6.2 Ga2O3パワーデバイスの課題

７．パワーデバイス産業の将来展望と日本の地位
　7.1 繰返される日本の電子デバイス産業における失敗
　7.2 生残りをかけた日本のパワーデバイス産業

□質疑応答□

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