酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、デバイス開発の進展について解説!
※本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです。会場での参加はございません。
※日程が変更になりました。(3/1更新)
3月12日 → 5月16日(木)
1. パワーデバイスとそれを取り巻く背景
(ア) パワーデバイスの役割
(イ) なぜワイドバンドギャップ半導体?
(ウ) パワーデバイスの世界市場予測
(エ) 酸化ガリウムとその他パワーデバイス材料の比較
(オ) 酸化ガリウムデバイスの応用分野
2. 単結晶バルク製造技術
(ア) 融液成長技術の紹介
(イ) Edge-defined Film-fed Growth(EFG)法
(ウ) 単結晶バルク育成の新しい試みの紹介
[Oxide Crystal growth from Cold Crucible (OCCC) 法]
3. エピタキシャル薄膜成長技術
(ア) 分子線エピタキシー法(MBE法)
(イ) ハライド気相成長法(HVPE法)
(ウ) 有機金属化学気相成長法(MOCVD法)
4. デバイス作製プロセスと要素技術
(ア) ショットキーコンタクト
(イ) イオン注入
(ウ) ドライ、ウェットエッチング
(エ) ウエハボンディング
5. パワーデバイス開発
(ア) ショットキーバリアダイオード(SBD)の動作原理
(イ) 高耐圧化技術
(ウ) 電界効果トランジスタ(MOSFET)の動作原理
(エ) 横型MOSFET
(オ) 縦型MOSFET
(カ) エンハンスメントモードMOSFET
6. 極限環境デバイス開発
(ア) 極限環境とは?
(イ) ガンマ線耐性
(ウ) 高周波MOSFET
7. まとめ
(ア) 2012年からこれまでの酸化ガリウム研究開発
(イ) 実用化への道筋
【質疑応答】