酸化ガリウムの基礎とパワーデバイスの開発動向【LIVE配信】

セミナー概要

略称

酸化ガリウムパワーデバイス【WEBセミナー】

セミナーNo.

2403125

開催日時

2024年05月16日（木） 13:00～16:00

主催

（株）Ｒ＆Ｄ支援センター

問い合わせ

Tel：03-5857-4811　E-mail：info@rdsc.co.jp　問い合わせフォーム

開催場所

【WEB限定セミナー】※会社やご自宅でご受講下さい。　

講師

国立研究開発法人情報通信研究機構
未来ICT研究所小金井フロンティア研究センターグリーンICTデバイス研究室
研究マネージャー博士（工学）
上村崇史氏

【ご専門】
半導体デバイス、パワーデバイス

価格

非会員： 49,500円（本体価格：45,000円）
会員： 46,200円（本体価格：42,000円）
学生： 49,500円（本体価格：45,000円）

価格関連備考

会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
　・1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
　・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、
　　49,500円（1名当たり 24,750円）（税込）です。

●10名以上で同時申込されるとさらにお得にご受講いただけます。●
お申込みご希望の方は【こちら】からお問い合わせください。

会員登録とは？　⇒　よくある質問

定員

30名　※現在、お申込み可能です。満席になり次第、募集を終了させていただきます。

備考

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】
１）Zoomを使用されたことがない方は、こちらからミーティング用Zoomクライアントを
　　ダウンロードしてください。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。
２）セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。Zoom WEBセミナーのはじめかたに
　　ついてはこちらをご覧ください。
３）開催日直前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始
　　10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加
　　ください。

・セミナー資料は開催前日までにお送りいたします。
　無断転載、二次利用や講義の録音、録画などの行為を固く禁じます。

講座の内容

受講対象・レベル

大学、企業で半導体関係の技術的専門職に関わっている方。酸化ガリウムデバイスの開発動向にご興味のある方。

必要な予備知識

難解な数式や理論は本セミナーには出てきませんが、半導体材料やデバイスに関するごく基本的な言葉は前置きなく使用します。例えば、移動度、バンドギャップ、ショットキーバリアダイオード、MOSFETなどです。
　デバイスの簡単な動作原理にも触れて、パワーデバイスの基本的なところから解説しますので、その点についての予備知識は必要ありません。

習得できる知識

・デバイス開発に向けた酸化ガリウム材料のメリット、デメリット
・酸化ガリウムデバイスの各種応用について
・酸化ガリウムデバイスのデバイス作製技術について
・基板作製、エピ膜成長、デバイス開発の各種要素技術の開発

趣旨

喫緊の課題である地球温暖化を防ぐために世界中で低炭素社会実現を目指した取り組みが行われています。エレクトロニクス分野では、電力変換の高効率化が必要不可欠であり、そのためにはシリコンデバイスを超える高性能なパワーデバイスが必須です。
　日本発のパワーデバイス材料である酸化ガリウムは、その材料特性の持つ利点から炭化ケイ素デバイスや窒化ガリウムデバイスを凌ぐ高効率パワーデバイスの実現が期待されています。また、シリコン同様に融液成長法によりバルク製造が可能なため、安価に大口径単結晶基板を得られる可能性があり、コスト面においても大きなアドバンテージを持つと考えられます。
　さらに、酸化ガリウムデバイスは、高温、放射線、腐食性ガス環境にも耐えうる物性から極限環境におけるIoTを実現するデバイスとしての応用へも期待されています。
　本講演では、酸化ガリウムのバルク製造技術、エピタキシャル膜成長技術、デバイス開発の進展について解説します。

プログラム

１．パワーデバイスとそれを取り巻く背景
　　　(ア) パワーデバイスの役割
　　　(イ) なぜワイドバンドギャップ半導体？
　　　(ウ) パワーデバイスの世界市場予測
　　　(エ) 酸化ガリウムとその他パワーデバイス材料の比較
　　　(オ) 酸化ガリウムデバイスの応用分野

２．単結晶バルク製造技術
　　　(ア) 融液成長技術の紹介
　　　(イ) Edge-defined Film-fed Growth（EFG）法
　　　(ウ) 単結晶バルク育成の新しい試みの紹介
　　　　　[Oxide Crystal growth from Cold Crucible (OCCC) 法]

３．エピタキシャル薄膜成長技術
　　　(ア) 分子線エピタキシー法（MBE法）
　　　(イ) ハライド気相成長法（HVPE法）
　　　(ウ) 有機金属化学気相成長法（MOCVD法）

４．デバイス作製プロセスと要素技術
　　　(ア) ショットキーコンタクト
　　　(イ) イオン注入
　　　(ウ) ドライ、ウェットエッチング
　　　(エ) ウエハボンディング

５．パワーデバイス開発
　　　(ア) ショットキーバリアダイオード（SBD）の動作原理
　　　(イ) 高耐圧化技術
　　　(ウ) 電界効果トランジスタ（MOSFET）の動作原理
　　　(エ) 横型MOSFET
　　　(オ) 縦型MOSFET
　　　(カ) エンハンスメントモードMOSFET

６．極限環境デバイス開発
　　　(ア) 極限環境とは？
　　　(イ) ガンマ線耐性
　　　(ウ) 高周波MOSFET

７．まとめ
　　　(ア) 2012年からこれまでの酸化ガリウム研究開発
　　　(イ) 実用化への道筋

【質疑応答】

キーワード

酸化ガリウム,パワーデバイス,Ga2O3,MOSFET,半導体,セミナー,講演,研修

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