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1 開発の背景
1.1 表示素子の技術的流れ
1.2 マイクロLEDの重要性
1.3 マイクロLED製造の技術的問題点
1.4 スパッタGaN成長技術の利点
2 スパッタ法によるGaNの成長技術
2.1 スパッタGaN薄膜の構造的特徴
2.2 スパッタGaN薄膜の電気的特徴
2.3 スパッタGaN薄膜の光学的特徴
3 スパッタ法を用いて試作したGaN素子の特性
3.1 スパッタGaNLED素子の特性
3.2 スパッタGaNHEMT素子の特性
3.3 スパッタGaNMISFET素子の特性
3.4 スパッタGaNパワー素子の特性
3.5 スパッタGaN受光素子の特性
4 スパッタ法を用いて低価格基板上に試作したGaN素子の特性
4.1 GaN成長用低価格基板
4.2 金属フォイル上に作製したGaNLED素子
4.3 ガラス基板上に作製したGaNLED素子
4.4 ポリマーフィルム上に作製したGaN素子
