ホーム > セミナー > フレキシブルマイクロLEDの可能性

フレキシブルマイクロLEDの可能性

※受付を終了しました。最新のセミナーはこちら

セミナー概要

略称
フレキシブルマイクロLED
セミナーNo.
cmc190605  
開催日時
2019年06月20日(木)13:30~16:30
主催
(株)シーエムシー・リサーチ
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
ちよだプラットフォームスクウェア 5F 会議室503
価格
非会員: 48,000円(税込)
会員: 43,000円(税込)
学生: 48,000円(税込)
価格関連備考
48,000円(税込) ※ 資料代含
* メール会員登録者は 43,000円(税込)

★ 【メール会員特典】2名以上同時申込で申込者全員メール会員登録をしていただいた場合、2人目は無料です(1名価格で2名まで参加可能)。また、3名目以降は会員価格の半額です。

講座の内容

習得できる知識
窒化物LEDを用いてマイクロLEDディスプレーを実現するための現時点における技術的問題点、その解決策の一例としてのスパッタ成膜技術、今後の技術的展望など
趣旨
 マイクロLEDは有機ELのディスプレーを置き換える次世代表示素子技術として大きな注目を集めている。マイクロLEDディスプレーを実用化するためには、安価な大面積基板上にGaN-LED アレイを作製する技術を開発する必要があるが、本セミナーではスパッタリングによる窒化ガリウム成長技術を用いた大面積フレキシブルマイクロLED作製の可能性について、この分野に関する専門知識のない技術者にもわかるように平易に解説する。
プログラム
1 開発の背景
 1.1 表示素子の技術的流れ
 1.2 マイクロLEDの重要性
 1.3 マイクロLED製造の技術的問題点
 1.4 スパッタGaN成長技術の利点

2 スパッタ法によるGaNの成長技術
 2.1 スパッタGaN薄膜の構造的特徴
 2.2 スパッタGaN薄膜の電気的特徴
 2.3 スパッタGaN薄膜の光学的特徴

3 スパッタ法を用いて試作したGaN素子の特性
 3.1 スパッタGaNLED素子の特性
 3.2 スパッタGaNHEMT素子の特性
 3.3 スパッタGaNMISFET素子の特性
 3.4 スパッタGaNパワー素子の特性
 3.5 スパッタGaN受光素子の特性

4 スパッタ法を用いて低価格基板上に試作したGaN素子の特性
 4.1 GaN成長用低価格基板
 4.2 金属フォイル上に作製したGaNLED素子
 4.3 ガラス基板上に作製したGaNLED素子
 4.4 ポリマーフィルム上に作製したGaN素子

関連するセミナー

関連する書籍・DVD

関連するタグ