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5G・次世代自動車に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題【WEBセミナー】

セミナー概要

略称
パワーデバイス【WEBセミナー】
セミナーNo.
cmc201030  
開催日時
2020年10月30日(金)10:30~16:30
主催
(株)シーエムシー・リサーチ
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます 
講師
筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 岩室 憲幸 氏

【経歴】
 1998年 博士(工学)(早稲田大学)。富士電機㈱に入社後、1988年から現在までIGBT、ならびにWBGデバイス研究、開発、製品化に従事。
 1992年 North Carolina State Univ. Visiting Scholar.
 1999年~2005年 薄ウェハ型IGBTの製品開発に従事。
 2009年5月~2013年3月 産業技術総合研究所に出向。SiC-MOSFET、SBDの研究ならびに量産技術開発に従事。
 2013年4月~ 国立大学法人 筑波大学 教授。現在に至る。

【活動】
 IEEE Senior Member、電気学会上級会員、応用物理学会会員。パワー半導体国際シンポジウ ム (ISPSD) 2017 Steering Committee Member。
 電気学会 優秀技術活動賞 グループ著作賞(2011 年)。

【著書】
 1) 車載機器におけるパワー半導体の設計と実装(科学情報出版㈱)(2019年9月発刊)
 2) SiC/GaNパワーエレクトロニクス普及のポイント(監修)(S&T出版)(2018年1月発刊)
 3) 次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開(監修)(シーエムシー出版)(2015年6月発刊)
 4) 世界を動かすパワー半導体―IGBTがなければ電車も自動車も動かない- (編集委員)(電気学会)(2008年12月発刊)
価格
非会員: 52,800円(税込)
会員: 47,300円(税込)
学生: 価格未設定
価格関連備考
1名につき 52,800円(税込)※ 資料付

メール会員登録者は 47,300円(税込)
 ★ 【メール会員特典】2名以上同時申込で申込者全員メール会員登録をしていただいた場合、2人目は無料です(1名価格で2名まで参加可能)。また、3名目以降は会員価格の半額です。※ 他の割引と併用はできません。
 ★ セミナーお申込み後のキャンセルは基本的にお受けしておりません。ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。
備考
・本セミナーは、当日ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 お申し込み前に、下記リンクから視聴環境をご確認ください。
   → https://zoom.us/test
・当日はリアルタイムで講師へのご質問も可能です。
・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
・お手元のPC等にカメラ、マイク等がなくてもご視聴いただけます。この場合、音声での質問はできませんが、チャット機能、Q&A機能はご利用いただけます。
・ただし、セミナー中の質問形式や講師との個別のやり取りは講師の判断によります。ご了承ください。
・「Zoom」についてはこちらをご参照ください。

講座の内容

受講対象・レベル
パワーエレクトロニクス開発ご担当、パワーデバイス開発ご担当、パワーエレクトロニクス機器販売、パワーデバイス販売ご担当者
習得できる知識
SiCパワーデバイスの特長と課題。
過去30年のパワーデバイス開発の流れ。
パワーデバイス全体の最新技術動向、SiCデバイス実装技術。
SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。
趣旨
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。近年、世界各国で自動車電動化開発が大きく進展している。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEV,PHV(プラグインハイブリッド車)シフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEVやPHV開発がいよいよ本格化し始めた。EV, PHVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料パワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。SiC/GaNパワーデバイスの今後の開発の方向性は何かについて、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
プログラム
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か

2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
 2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
 2-2 特性向上への挑戦
 2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
 2-4 最新のMOSFET・IGBT技術:まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
 2-5 新構造IGBT:逆導通IGBT(RC-IGBT)の開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-2 SiCのSiに対する利点
 3-3 SiC-MOSFETプロセス
 3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
 3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
 3-6 最新SiC-MOSFET技術

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
 4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
 4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
 4-5 縦型GaNデバイスの最新動向

5.高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発


※ 適宜休憩が入ります。

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