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CMP技術について基礎から応用、将来技術まで徹底解説!

【徹底解説】超精密研磨/CMPプロセス技術全容の理解から将来型技術へ

※日程が1月27日より変更になりました

セミナー概要

略称
超精密研磨/CMP
セミナーNo.
st210117  
開催日時
2021年05月12日(水)10:30~16:30
主催
サイエンス&テクノロジー(株)
問い合わせ
Tel:03-5857-4811 E-mail:info@rdsc.co.jp 問い合わせフォーム
開催場所
きゅりあん 5F 第1講習室
講師
九州大学/埼玉大学 名誉教授 / ㈱Doi laboratory  土肥 俊郎 氏
 【専門】超精密加工プロセス技術とその応用
価格
非会員: 49,500円(税込)
会員: 46,970円(税込)
学生: 49,500円(税込)
価格関連備考
定 価 :1名につき 49,500円(税込)
会員価格:1名につき 46,970円 2名の場合 49,500円、3名の場合 74,250円(税込)

※上記会員価格は受講者全員の会員登録が必須となります。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※受講券、請求書は、代表者に郵送いたします。
※請求書および領収証は1名様ごとに発行可能です。
 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。
特典
本セミナーにご参加頂いた方は電話・面談などで講師に直接相談することが出来ます
 (企業紹介や共同研究などへ発展したケースが多数ございます)
備考
※資料・昼食付(但し昼食は会場での受講の場合のみ)
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※講義中のパソコン使用はキーボードの打音などでご遠慮いただく場合がございます。

配布資料:製本テキスト(開催前日着までを目安に発送)
     ※セミナー資料はお申し込み時のご住所へ発送させていただきます。
     ※開催日の4~5日前に発送します。
      開催前日の営業日の夕方までに届かない場合はお知らせください。
     ※開催まで4営業日~前日にお申込みの場合、セミナー資料の到着が、
      開講日に間に合わない可能性がありますこと、ご了承下さい。

講座の内容

受講対象・レベル
【1】 研磨・CMP技術を学びたい方、或いは 現在研究開発中の方
【2】 これから研磨・CMPとその周辺技術でビジネスチャンスを捕えようとする方
【3】 加工技術・プロセス技術分野で新しいビジネスを試みたい方
【4】 半導体加工分野で新しい領域のシーズを探索されている方
【5】 半導体領域で横のつながり、産学連携を望む方       など
習得できる知識
〇オプトメカトロニクス・半導体分野の超精密加工プロセス技術の基礎から
 デバイスへの応用技術までの全容を理解してビジネスチャンスを得ることが出来る
〇超精密加工技術の現状と将来加工技術の展望を把握して次の一手のヒントを得られる
趣旨
 近年では、多機能・高性能化を目指した新しいデバイスが次々と提案され、それと相まって、半導体Si以外の新たな材料が使用されるようになってきました。特に、パワー/高周波デバイス用あるいはLED用としてサファイア、SiC、GaN, Diamondなどの難加工基板が脚光を浴びています。それに加えて、データセンター。基地局用にもLT, LN、GaAsなどの結晶基板の適用も要請されている。これらの多種多様な基板を高能率・高品質に超精密加工するためには、熟成・定着してきたベアSiウェーハをはじめ、デバイスウェーハ平坦化CMP技術などを例にして、加工技術の基礎を徹底理解しておくことが必要不可欠です。
 本セミナーでは、長年培ってきたガラスを含めた機能性材料基板の超精密加工プロセス技術について徹底的に掘り下げた情報を盛り込みながら、あらゆる材料の超精密加工実現の門外不出のノウハウも含めながら、難加工材料のCMP技術や超精密加工プロセス技術などを詳細に解説します。さらに、究極デバイス用ダイヤモンド基板を含めた高効率加工プロセスなどについても言及し、新しい研究開発のビジネスチャンスをつかんでいただく橋渡しをさせていただきます。
プログラム
Ⅰ 超精密加工技術の基礎編(1)
   ―研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解―
   1. 超精密研磨(研削/ラッピング/ポリシング/CMP等)技術の位置づけ/必要性と適用例
   2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
   3. 各種機能性材料の超精密ポリシング ~コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて~
    (ここで登場する被加工用基板; HD・光ファイバ用ガラス、Si,サファイア、GaAs, LT, 水晶、GGG, SiC、有機結晶など)
 
Ⅱ 消耗資材・周辺加工技術の基礎編(2)
   ―加工メカニズムからパッド・スラリー、コンディショニング、リサイクル技術を徹底理解の事例―
   1. 硬軟質二層構造パッド -高精度高品位化パッドの考案・試作―
   2. ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
   3. レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒 -ガラスの研磨事例―
   4. スラリーのリサイクル技術 
     4.1 ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
       4.2 メタルCMP用スラリーのリサイクル技術
    (ここで登場する被加工用基板; Si, SiC, HD用ガラス、メタルW, GaNなど)
 
Ⅲ 超精密加工技術の応用編/将来加工技術(1)
   ―超LSIデバイスの多層配線加工用の平坦化(プラナリゼーション)CMP技術の徹底理解―
   1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
   2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例-パッド・スラリーそして装置―
   3. パッドのドレッシング -非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
   4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学(d-EC)装置の紹介
   5. Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
    (ここで登場する被加工用基板; Si, SiO2, Cu, W, Co, Ta, TaN, TiN, など)
 
Ⅳ 超精密加工技術の応用編/将来加工技術(2)
  ―革新的高能率・高品質加工プロセス技術 -SiC・GaN/Diamond基板を対象として―
     1. 将来型加工技術に向けて
     1.1 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
     1.2 パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
         2. 革新的加工技術へのブレークスルー(2つの考え方)
     2.1 加工条件改良型ブレークスルー
               ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
             2.2 挑戦型加工によるブレークスルー
               将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
         (ここで登場する加工用基板;SiC, HD用ガラス、GaN, ダイヤモンド、サファイア、Si, SiO2など)
 
Ⅴ 今後の加工技術を捉える-深化するAIと“シンギュラリティ(技術的特異点)”を見据えて-
   重要三大加工技術のキーワード
             超精密CMP融合技術、趙薄片化プロセス技術、大口径超精密ボンディング技術

  □質疑応答・名刺交換□

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