CMP技術について基礎から応用、将来技術まで徹底解説！
Ⅰ 超精密加工技術の基礎編（１）
―研磨/CMPの発展経緯と加工メカニズム基礎、各種基板の加工事例から基本技術を徹底理解―
1. 超精密研磨（研削/ラッピング/ポリシング/CMP等）技術の位置づけ/必要性と適用例
2. 基本的加工促進のメカニズム概要の理解
3. 各種機能性材料の超精密ポリシング ～コロイダルシリカ・ポリシング/CMPを含めて～
（ここで登場する被加工用基板; HD・光ファイバ用ガラス、Si,サファイア、GaAs, LT, 水晶、GGG, SiC、有機結晶など）
Ⅱ 消耗資材・周辺加工技術の基礎編（２）
―加工メカニズムからパッド・スラリー、コンディショニング、リサイクル技術を徹底理解の事例―
1. 硬軟質二層構造パッド －高精度高品位化パッドの考案・試作―
2. ダイラタンシー現象応用スラリーとパッドの考案・試作
3. レアアース対策としてのセリア代替の二酸化マンガン系砥粒 －ガラスの研磨事例―
4. スラリーのリサイクル技術
4.1 ガラス/酸化膜CMP用セリアスラリーのリサイクル技術
4.2 メタルCMP用スラリーのリサイクル技術
（ここで登場する被加工用基板; Si, SiC, HD用ガラス、メタルW, GaNなど）
Ⅲ 超精密加工技術の応用編/将来加工技術（１）
―超LSIデバイスの多層配線加工用の平坦化（プラナリゼーション）CMP技術の徹底理解―
1. デバイスウェーハの動向と平坦化CMPの必要性
2. 平坦化CMPの基本的考え方と平坦化CMPの事例－パッド・スラリーそして装置―
3. パッドのドレッシング －非破壊ドレッシング/HPMJとハイブリッドin-situ HPMJ法の提案―
4. CMP用スラリーの設計とそのため必須のダイナミック電気化学（ｄ－EC）装置の紹介
5. Siウェーハのナノトポグラフィ問題、他
（ここで登場する被加工用基板; Si, SiO2, Cu, W, Co, Ta, TaN, TiN, など）
Ⅳ 超精密加工技術の応用編/将来加工技術（２）
―革新的高能率・高品質加工プロセス技術 －SiC・GaN/Diamond基板を対象として―
1. 将来型加工技術に向けて
1.1 加工雰囲気を制御するベルジャ型CMP装置
1.2 パワーデバイス用SiC単結晶の光触媒反応アシストCMP特性
2. 革新的加工技術へのブレークスルー(2つの考え方)
2.1 加工条件改良型ブレークスルー
ダイラタンシーパッドと高速高圧加工装置の考案とその加工プロセス・加工特性事例
2.2 挑戦型加工によるブレークスルー
将来型プラズマ融合CMP法の考案とその加工特性事例
（ここで登場する加工用基板;SiC, HD用ガラス、GaN, ダイヤモンド、サファイア、Si, SiO2など）
Ⅴ 今後の加工技術を捉える－深化するAIと“シンギュラリティ（技術的特異点）”を見据えて－
重要三大加工技術のキーワード
超精密CMP融合技術、趙薄片化プロセス技術、大口径超精密ボンディング技術
□質疑応答・名刺交換□