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半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から、重要な要素技術、装置技術、パッド・スラリー・コンディショナといった消耗材技術、終点検出技術などの個々の技術の考え方を解説します！
１． CMP(Chemical Mechanical Planarization)技術の概要、歴史
1-1. 研磨技術の概要
1-2. Siウェーハの加工プロセス
1-3. ラッピング加工
1-4. 研磨加工
1-5. 化学機械研磨と研磨メカニズム
1-6. 研磨制御における課題
1-7. EEM(Elastic Emission Machining)における加工制御
２． CMPの概要とCMPプロセス
2-1 半導体製造方法とCMPの概要
2-2. CMPプロセスが適用されるプロセス
2-3. CMPにおける重要な要素技術
３． CMP要素技術（１）圧力分布の設計
3-1. CMPに求められる仕様
3-2. 表面基準研磨
3-3. 研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
3-4 圧力分布調整へのアプローチ
（１） ヘッド構造
（２） パッド構造
3-5. 静的圧力分布と動的圧力分布の対応
3-6. 圧力分布制御技術
3-7. 研磨均一性と圧力分布形状の対応
４． CMP要素技術（２）研磨パッド状態の定量化とコンディショニング技術
4-1. 研磨パッドとスラリー
4-2. 研磨パッドの特徴
4-3. 研磨パッドにおける幾何学的な要素
4-4. 研磨パッドの定量的な状態把握
4-5. 研磨パッドの化学的な要素
4-6. パッドコンディショニング技術の概要
4-7. ダイヤモンド配列による長寿命化
4-8. コンディショニングに求められる要素
4-9. ファイバーコンディショナにおける表面基準コンディショニング
５．CMP要素技術（３） APCと終点検出技術
5-1. APC (Advanced Process Control)の考え方
5-2. 研磨レート制御とプロセスモニター
5-3. 終点検出の種類
5-4. 光学式終点検出技術
5-5. 渦電流式終点検出
5-6. 表皮効果を利用した渦電流終点検出技術
６．今後の3次元実装における半導体加工技術
【質疑応答】